1章半导体二极管和三极管3讲解剖.pptVIP

放大作用的外部条件： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 3 双极型半导体三极管的特性曲线 共发射极接法三极管的特性曲线 输入特性曲线—— iB=f(vBE)? vCE=const 输出特性曲线—— iC=f(vCE)? iB=const 其中：B表示输入电极，C表示输出电极， E表示公共电极。 iB—输入电流 vBE—输入电压 iC—输出电流 vCE—输出电压 共射接法输入特性曲线 输入特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2)输出特性曲线iC=f(vCE)? iB=const  共发射极接法输出特性曲线 （动画2-2） 电流控制 输出特性曲线可以分为三个区域: 饱和区——iC受vCE显著控制的区域。 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 发射结反偏，集电结反偏。 放大区——iC平行于vCE轴的区域。 发射结正偏，集电结反偏。 4 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 值与IC的关系 在输出特性曲线上决定 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const （1）共发射极电流放大系数 共发射极直流电流放大系数 共发射极交流电流放大系数? ?=?IC/?IB?vCE=const 在输出特性曲线上求β （2）极间反向电流 1）集电极基极间反向饱和电流ICBO 2）集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+β）ICBO (3)极限参数 值与IC的关系 ? 2）集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCB≈ICVCE 1）集电极最大允许电流ICM 3）反向击穿电压 三极管击穿电压的测试电路 V(BR)CEOV(BR)CERV(BR)CES 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 例1：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。 三极管工作状态判断 放大 截止 饱和 2.1 放大电路的基本概念 2.2 共射极基本放大电路 2.3 图解分析法 2.4 小信号模型分析法 2.5 射极偏置电路 2.6 共集电极和共基极电路 2.7 放大电路的频率响应 放大电路的结构示意框图 放大概念示意图 2.1 放大电路的基本概念 放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号。 放大电路放大的本质是能量的控制和转换。 (1) 放大倍数 电压放大倍数的定义 放大电路的主要技术指标 (2) 输入电阻 Ri 输入电阻的定义 (3) 输出电阻Ro 定义 放大器简单模型 (4) 通频带 通频带的定义 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 三极管的三种组态 放大电路的三种基本组态 共发射极、共集电极、共基极 (1)基本组成 三 极 管T—— 负载电阻Rc 、RL—— 偏置电路VCC 、Rb—— 耦合电容C1 、C2—— 起放大作用。 将变化的集电极电流 转换为电压输出。 提供电源，并使三极管 工作在线性区。 输入耦合电容C1保证信号加到 发射结，不影响发射结偏置。 输出耦合电容C2保证信号输送 到负载，不影响集电结偏置。 共发射极组态交流基本放大电路 2.2 共射极基本放大电路 (2) 静态和动态 静态—— 时，放大电路的工作状态， 也称直流工作状态。 动态—— 时，放大电路的工作状态，也称交流工作状态。 直流通道 交流通道