固态电子论半导体物理固体物理部分名词解释.docVIP

固态电子论名词解释库 （个人意见，仅供参考） 固体物理部分 晶体：构成粒子（原子，分子，集团）周期性排列的固体，具有长程有序性，有固定的熔点，具有自限性，各向异性和解理性特点的固体。 布拉伐点阵：晶体的周期性结构可以看作相同的点在空间周期性无限分布所形成的系统，称为布拉伐点阵。 布拉伐格子：在空间点阵用三组不共面平行线连起来的空间网格称为布拉伐格子。 基元：布拉伐格子中的最小重复单位称为基元。 原胞：在布拉伐格子中的最小重复区域称为原胞。 晶胞：为了同时反应晶体的周期性和对称性，常常选取最小的重复单位的整数倍作为重复单元，这种单元称为晶胞。 倒格子：分别以b1,b2,b3,作为基矢，构成的网格称作倒格子，其中 布里渊区：在倒格子中，以某个倒格点作为原点，作出它到其他所有倒格点的矢量的垂直平分面，这些面将倒空间分割成有内置外的相等区域，称为布里渊区。 五种晶体结合力方式： 离子结合和离子晶体： 共价结合和共价晶体：能把两个原子结合在一起的的一对为两个原子自旋相反配对的电子结构称为共价键。 金属结合和金属晶体：作用力来自带正电原子实和负电电子云的吸引力，电子云重叠产生强烈的排斥作用的排斥力结合的称为金属晶体。 氢键结合和氢键晶体：氢原子同时与两个电负性较大的原子想结合，一个属于共价键，另一个通过库仑作用结合的称为氢键。 范德瓦耳斯结合和分子晶体：靠电偶极矩的相互作用而结合的力称作范德瓦耳斯力。 主要的晶体结构类型： 声子：晶格振动的一个频率为wq的格波等价于一个简谐振子的振动，其能量也可以表示为以下，Enl=(0.5+n)hwq.能量单元是hwq,它是格波的能量量子，称之为声子。 点缺陷：在一个或几个原子尺寸范围内的微观区域内，晶格结构发生偏离严格周期性而形成的畸变区域。 面缺陷：如果晶体中周期性遭到破坏的区域形成一条线，称这种一维缺陷为线缺陷。 刃型位错： 螺型位错： 半导体物理部分 电子有效质量：在一维模型下，数学表达式 ，有效质量包含了内部势场各个方向的作用，内层电子能带越窄，有效质量越大，外层电子能带越宽，有效质量越小。有效质量的引进概括了半导体内部势场的作用，使得在解决电子在外力作用下运动规律时不涉及到内部势场的作用。 空穴：空穴是在几乎被电子填满的的能带中，未被电子占据的少数空量子态，这些少的空量子态总是处于能带顶附近，空穴具有正的有效质量，带有正电荷，是一种载流子。 回旋共振基本原理：固定交变电磁场的频率，改变磁感应强度以观测吸收现象，由于电子空穴的有效质量具有方向上的各向异性，所以在不同方向上能出现不同的吸收峰。 杂质能级：在掺入施主杂质的半导体中，由于杂质电离出电子，使得周期性势场遭到破坏，因而杂质的电子不可能处于正常的导带和价带中，而在禁带中引入了等高的分立能级，即杂质能级。 施主能级：电子被施主杂质束缚时的能量状态称为施主能级。 受主能级：空穴被受主杂质束缚时的能量状态称为受主能级。 施主杂质：在半导体中掺入杂质，杂质原子电离后向导带提供电子，而自身成为不可移动的带正电的离子，使得半导体成为N型半导体，这种杂质称为施主杂质。 受主杂质：在半导体中掺入杂质，杂质原子电离后接受价带上的电子，而自身成为不可移动的带负电的离子，使得半导体成为P型半导体，这种杂质称为受主杂质。 深能级：深能级一种电离能非常大的杂质电离产生的能级，施主杂质的深能级远离导带底，受主杂质的深能级远离价带顶，深能级特点有，深能级含量极少，不易在室温下电离，对载流子浓度影响不大，深能级一般会有多重电离，能产生施主和受主能级，能级的位置有利于促进载流子的复合，是少子寿命降低，形成复合中心杂质。并且深能级杂质电离后对载流子起散射作用，使载流子迁移率减少，导电性能下降。 杂质补偿：半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，他们的共同作用会使载流子减少，这种作用称作杂质补偿。 费米能级：费米分布函数 ，其中的Ef就是费米能级，它是热力学电子系统的的化学势，费米能级是反应各个能级电子分布情况的参数，标志电子填充水平，影响费米能级的因素有，1，半导体导电类型。2，杂质含量。3，温度。4，能量零点的选取。 简并半导体：当掺杂浓度比较高，或温度足够低，费米能级会接近导带底（价带顶）甚至进入导带（价带），这种半导体称为简并半导体。 非简并半导体：当掺杂浓度不算高，费米能级处于禁带中并且远离导带（价带），一般划分条件是Ec-Ef2eV,或 Ef-Ev2eV. ，这