项目0半导体基础知识——三极管精编.ppt

20μA Ic/μA Uce/V ib=100μA 80μA 60μA 40μA 0μA 此区域中 ib=0 , UBE 死区电压，称为截止区。 发射结和集电结都反偏 B C T E 晶体管的特性曲线 ib 20μA Ic/μA Uce/V ib=100μA 80μA 60μA 40μA 0μA B C T E 晶体管的特性曲线 ib 当UCE大于一定的数值时，ic只与ib有关，ic=?ib 。此区域称为线性放大区。 ic ie 发射结正偏 集电结反偏 20μA Ic/μA Uce/V ib=100μA 80μA 60μA 40μA 0μA B C T E 晶体管的特性曲线 ib ic ie ?ibic，UCE?0.3V，c、e两极之间接近短路称为饱和区。 发射结和集电结都正偏 20μA Ic/μA Uce/V ib=100μA 80μA 60μA 40μA 0μA 发射结正偏 放大 i C= ? iB 集电结反偏 饱和 i C ＜ ? iB 两个结正偏 I CS= ? IBS 临界 截止 iB ≈ 0, iC ≈ 0 两个结反偏 电流关系 状态 条 件 晶体管的特性曲线 ? ? ? ? + UBE ? B IE IC C VT E IB NPN 型晶体管 N P N + UCE ? 发射结（UBE）：正偏——VBVE ，反偏——VBVE 集电结（UBC）：正偏——VBVC ，反偏——VBVC 习题1-10 如图所示，已知在放大电路中无交流信号时测得晶体管（均为硅管）各极对地的电位值，试说明各晶体管的工作状态。 3.2V 3V 3.7V ∴发射结正偏 VB=3.7V VE=3V UBE=VB-VE=0.7V0.5V VC=3.2V UBC=VB-VC=0.5V ∴集电结正偏 三极管的开关作用 + ? Rc Rb +VCC (12V) + uo ? T uI 2 k? 2.2 k? 三极管开关特性测试电路 C B E S9013 H G18 EBC 项目0半导体基础知识 双极性三极管 晶体管又名三极管（transistor），是一种把输入电流进行放大的半导体元器件。顾名思义，三极管通常具有3个极，在外表现为3个管脚。 晶体管的结构 N P 基极 发射极 集电极 NPN型 PNP型 三个极 P N P 集电极 基极 发射极 B E C B E C N P N P N P 箭头方向表示 发射结加正向电压时的电流方向 晶体管有两个结 晶体管有三个区 晶体管有三个电极 N P N PN结 限流电阻 IB IC IE ? ? ? ? + UBE ? B IE IC C VT E IB + UCE ? NPN 型晶体管 N P N C B E IB C VT E B IC IE - UCE + - UBE + ? ? ? ? PNP 型晶体管 PNP C B E 例 题 【实例1 】用万用表测的放大电路中某个三极管两个电极的电流值如图. （1）判断是PNP还是NPN管? （2）求另一个电极的电流大小，在图上标出实际方向 （3）图上标出管子的E、B、C极 ① ② ③ 例 题 【实例2 】测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1） U1=3.5V U2=2.8V U3=12V （2） U1=3V U2=2.8V U3=12V 原则： （1）先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。　　　　 （2）发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管 UBE＞0，UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管 UBE＜0，UBC＞0， 即UC ＜ UB ＜ UE 。 例 题 【练习1 】测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1） U1=6V　 U2=11.3V U3=12V （2） U1=6V　 U2=11.8V U3=12V （1）U1 c U2 b U3 e PNP 硅 （2）U1 c U2 b U3 e PNP 锗 共发射极组态