n-通道增强型MOSFET.ppt

* 基本結構 (n-通道 增強型 MOSFET)： ?空乏型與增強型MOSFETs 結構之 主要差異 － 汲極與源極端子間(n- 型摻雜區域間) 缺乏通道。 ?SiO2層 將閘極金屬層 與 汲極至源 極間的區域 隔開，且現在 僅與一 段p-型材料 隔開。 § 6-8 增強型 MOSFET * ? 轉移曲線 並不由 蕭克萊方程式 所定義。 ? ID 保持截止 而直到 VGS 達到某特性值 才導通。(n-通道裝置→VGS 0) 金屬 接點 無通道 n-型摻雜區域 (Sub Strate) 基體 p-型基體 有時內↓ s 矽基板 SS n-型摻雜區域 * 基本操作： (n-通道 增強型 MOSFET) (1)VGS = 0，VDS 0，且SS端接S端 ＝?n-型區域與p-型基體間形成兩個 逆向偏壓之p-n接面? ＝?阻止汲極與源極間電流流通 ＝? ID = 0A (2)VT VGS 0V，VDS 0V ?VG ,VD VS (G正電位) ?①p-型基體之電洞沿著SiO2層邊緣 離開→缺乏電洞之空乏區 ②電子(少數載子)被吸引至正閘極 並靠近SiO2層表面之區域累積 ∴VGS↑→近SiO2層表面電子濃度↑ (3)VGS ≧VT 0V，VDS 0V ?電子濃度↑至 感應n-通道 ?D -S 間電流流通 ? ID ? § 6-8 增強型 MOSFET 通道 電子被吸引至正閘極 (感應 n-通道) 缺乏p型載子(電洞)區域 絕緣層 電洞被正閘極所排斥 (VGS 0) 註：臨限電壓VGS (Th) 或VT * (4)VGS VT 且固定，VDS↑0V ?ID 終達 飽和值 原因：ID 平坦化 由於 感應通道之D 端通道變窄之 夾止過程。 說明：0 VDG↑=VDS↑小－VGS(定值)大 ?VGD↓ 0 ?感應通道電子之吸引力↓ ?有效通道寬度↓ ?夾止 特性： (n-通道 增強型 MOSFET) ?”增強型”名稱由來：因VGS =0V 時通 道不存在，需外加VGS 0V 電壓而“增 強”謂之。 ?”增強區 “ 為唯一操作模式。 § 6-8 增強型 MOSFET 夾止(開始) p-型基體 空乏區 (VGS VT 且定值) (VDS↑0V) ?VDS sat 與VGS 關係：VDS sat↑＝VGS↑－VT (定值) ?VGS VT ?ID = 0mA (圖VT =2V) ?VGS ≧VT 時，ID 與 VGS 之 非線性關係：ID ＝k (VGS－VT )2， 其中，k 項為一常數，是與裝置結構有關。 ID (on)與VGS (on)為裝置特性曲線上某一特殊點。 * § 6-8 增強型 MOSFET 已知 ID (on)=10