第2章电力电子器件讲述.ppt

* IGCT 集成门极换流晶闸管是由GTO和其门极控制电路集中成一体化的组件。将IGCT内的反并联续流二极管去掉就是SGCT器件。 GCT是在GTO基础上发展起来的新器件，它保留了GTO导通压降小，电压电流高的优点，又改善了其开关性能。? GCT特点： ? GCT和GTO都基于晶闸管机理，与基于晶体管机理的器件IGBT相比，导通压降小，电压、电流高, 最大电流ITSM和I2t高。 ?由于GCT的门极驱动峰值电流非常大，驱动电路需要相当容量的MOSFET和相当数量的电解电容，电路非常复杂，要求很高，所以一般由GCT生产厂家把门极触发及状态监视电路和GCT管芯，成为IGCT/SGCT ? IGCT/SGCT作为一种的电力电子器件，刚刚开始工业应用，其实际性能如何，还有待于现场应用的考验。 ?目前IGCT/SGCT的电压可达6.5KV/3000A，用于三电平逆变器时，直流母线电压做到6.6KV，适合配交流4160V的电机，如要求更高的生产电压，比如6KV交流输出，只能采取器件直接串联。? * 2.5.5 功率模块与功率集成电路 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 DATASHEET 基本概念 * 2.5.5 功率模块与功率集成电路 高压集成电路（High Voltage IC——HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power IC——SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 实际应用电路 * 2.5.5 功率模块与功率集成电路 功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合。 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展。 功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。 发展现状 * 电力电子器件的发展现状 * 电力电子器件的生命周期 1、传统的电力电子技术以晶闸管(SCR)为核心,其派生器件快速SCR、通导SCR(RTC)、双向SCR(TRIAC)、不对称SCR(ASCR)形成一个SCR大家族。 2、现代电力电子技术以高频化、全控型的功率集成器件为基础发展的,以可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、功率场控晶体管(功率MOSFET)、绝缘栅级双极型晶体管(IGBT)、静电感应晶体管(SIT)、静电感应晶闸管(SITH)、MOS晶闸管(MCT)以及MOS 晶体管(MGT)等形成一个新型的全控型电力电子器件的大家族。  第二章作业 P42 T1~T8 * * 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。 2.4.2 电力晶体管 1）GTR的结构和工作原理 图2-16 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动 * 2.4.2 电力晶体管 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 。 考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 空穴流 电 子 流 c) E b E c i b i c = b i b i e =(1+ b ) i b 1）GTR的结构和工作原理 * 2.4.2 电力晶体管 (1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态。 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。 截止区 放大区 饱和区 O I c i b3 i b2 i b1 i b1 i b2 i b3 U ce 图2-17 共发射极接法时GTR的输出特性 2）GT