第十四章质谱分析法详解.ppt

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*;*;*;*;*;§14-1 质谱分析概述;*;其中,z为电荷数,e为电子电荷,V为加速电压,m为碎片质量,v为电子运动速度。 ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;;*;*;*;;;*;;;*;电子轰击源(Electron Bomb Ionization,EI) ;;;化学电离源(ChemicalIonization, CI) 作用过程: 样品分子在承受电子轰击前,被一种反应气(通常是甲烷)稀释,稀释比例约为103:1,因此样品分子与电子的碰撞几率极小,所生成的样品分子离子主要由反应气分子组成。 ;进入电离源的分子R-CH3大部分与CH5+碰撞产生(M+1)+离子;小部分与C2H5+反应,生成(M-1)+离子: ;特点:电离能小,质谱峰数少,图谱简单;准分子离子(M+1)+峰大,可提供分子量这一种要信息。 ;化学电离与电子轰击源质谱图比较;场电离源(Field ionization, FI): 应用强电场(电压梯度107-108V/cm)诱导样品电离。如下图。 ;;强电场将分子中拉出一个电子; 分子离子峰强;碎片离子峰少;不适合化合物结构鉴定; ;场解吸源(Field desorption, FD);EI、FI、FD的质谱图比较;快原子轰击(Fast atom bombardment, FAB);*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;渠道式电子倍增器阵列----高灵敏检测器 由在半导体材料平板上密排的渠道构成,各渠道内壁涂有二次电子发射材料而构成倍增器 ;*;*;*; 分子在离子源中可产生各种电离,即同一分子可产生多种离子 峰:分子离子峰、碎片离子峰、重排离子峰、亚稳离子峰、同位素 离子峰等。设有机化合物由A,B,C和D组成,当蒸汽分子进入离 子源,受到电子轰击可能发生下列过程而形成各种类型的离子:;;(1)分子离子峰;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*

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