一、选择题（每题0.doc

一、選擇題 （每題0.33分，共300題，合計99分） 一般之直流電源供應器中不太會使用到下列那一種電路？ (A)整流器(B)濾波器(C)電壓調節器(D)微分器 。 (A) 82kΩ(B)100kΩ(C)1kΩ(D) l2kΩ 。 如圖(18)所示為電晶體放大電路，則此一放大器應屬於？(A)共射極(CE)放大器(B)共集極(CC)放大器(C)共基極(CB)放大器(D)共源極(CS)放大器 。 如圖(6)所示，有一電晶體電路，請問此電晶體工作於何區？ (A)主動區(B)飽和區(C)截止區(D)順向崩潰區 。 如圖(4)所示，有一個PN接面的二極體，請問在N型半導體接面附近的總電荷極性為？ (A)正的(B)負的(C)中性的(D)不能決定 。 下列敘述何者不正確？ (A)Si及Ge皆是本質半導體(intrinsic emiconductor)(B)將硼或鎵加入一本質半導體可以將此半導體變為N型外質半導體(extrinsic semiconductor)(C)在P型半導體中之多數載子(majority carrier)為電洞(D)在摻有銻(Sb)的半導體中，Sb扮演的角色是施體(donor) 。 圖(4)為LED的驅動電路，使LED發亮的電壓為2V，電流為15mA，試求RB、RC的適當阻值？假設飽和電晶體的壓降可忽略。 (A)50kW、100W(B)50kW、200W(C)30kW、100W(D)30kW、200W 。 (A)－100(B)－167(C)－254(D)－367 。 電晶體放大器之低頻響應主要是由下列何種因素決定？ (A)電路雜散電容(B)交連電容(C)電晶體的接合電容(D)電晶體的? 。 如圖(24)所示的共射極放大電路，當?＝100，則VC的電壓值約為(A)3V(B)4V(C)5V(D)6V 。 圖(1)電路中，假設二極體為理想，順向導通電壓為0，則輸出Vo之平均電壓Vdc約為？(A)3.18V(B)5V(C)6.28V(D)7.07V 。 二極體之逆向飽和電流通常會隨溫度之上升而？ (A)變大(B)變小(C)無變化(D)不一定 。 若無濾波電容下，當輸入相同時，橋式整流電路的輸出直流平均值電壓為半波整流之？(A)1/2(B)2(C) (D) 倍。 (A)10V(B)6.7V(C)6V(D)5V 。 電晶體放大器的IC=1mA，歐力電壓VA=45V，則小信號等效輸出電阻ro=？(A)45W(B)90W(C)45kW(D)90kW 。 (A)430Ω(B)540Ω(C)0.6kΩ(D)5kΩ 。 共射極放大器在使用射極旁路電容器，其作用為？ (A)阻止直流電壓通過(B)濾波作用(C)防止電壓增益下降(D)提高輸入阻抗 。 圖(21)是雙接面電晶體共射極組態的小訊號分析模型，其輸出阻抗Zo＝？(A)RC(B)bRC(C)RC/b(D)(b＋1)RC 。 電晶體工作於操作區情況下，對集極電流影響最大的是？(A)VCE(B)IB(C)電源電壓(D)連在集極上的電阻 。 稽納二極體順向導通電壓為？ (A)0.6V(B)3V(C)6V(D)10V 。 在N型半導體中，其多數載子(Majority Carrier)為？ (A)電子(B)電洞(C)原子(D)分子 。 場效電晶體(FET)工作時靠下列何者來控制某電流大小？(A)電壓(B)電流(C)電阻(D)電容 。 下列有關共射極組態的矽電晶體特性曲線何者錯誤？ (A)集極特性曲線表示的是Vce與Ic之間的關係(B)基極特性曲線表示的是Vce與Ib之間的關係(C)繪製集極特性曲線時是以Ib為參考(D)Vce對Vbe與Ib之間的關係影響不大 。 (A)－60(B)－49(C)－32(D)－27 。 FET工作於那一區時，其特性有如線性電阻特性？ (A)歐姆區(B)飽和區(C)截止區(D)夾止區 。 假設在25℃時，矽晶體的VBE為0.7伏特，求在65℃時，VBE的值為多少？ (A)0.8V(B)0.6V(C)0.5V(D)0.4V 。 在共射極電晶體電路中，若集極電流為5mA，基極電流為0.1mA，則此電路的電流增益為？(A)0.02(B)0.1(C)0.5(D)50 。 已知在室溫下時，二極體導通電流ID =1mA，電壓VD=0.6V，則其靜態電阻RD為？(A)2.5Ω(B)25Ω(C)60Ω(D)600Ω 。 有關理想放大器的特性，下列何者不正確？(A)輸入阻抗無窮大(B)輸出阻抗無窮大(C)頻帶寬無窮大(D)電壓增益無窮大 。 圖(2)中，若Vin＝10V、VBE＝0.7V、VCE(SAT)＝0.2V，?＝50，則此電晶體工作於？(A)作用區(順向主動區)(B)飽和區(C)截止區(D)反轉區(逆向主動區)