电子技术教学课件作者第5版付植桐教学资源第1章场效应晶体管课件.pptxVIP

2017年4月6日星期四 1.4 场效应管 主要要求： 1.了解场效应管的结构、特点 2.了解场效应管的原理、特性曲线与参数 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三极管，是利用一种载流子导电的单极型器件。 特点：具有输入电阻高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省等优点，制作工艺简单、便于集成。 2017年4月6日星期四 1. N沟道增强型绝缘栅场效应管MOSFET的结构 (Mental Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 1.4.1 绝缘栅场效应晶体管的原理和特性 P 型硅衬底 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D— 漏极 Drain 还有多种其他类型的场效应管，比如这是P沟道耗尽型场效应管的符号： 2017年4月6日星期四 2. 原理与特性——电压控制器件（iD受控于uGS） （1）转移特性曲线 （2）漏极特性曲线 2017年4月6日星期四 1.4.2 场效应晶体管的主要参数 1. 开启电压——当uDS为常数时，有沟道将漏、源极连接起来的最小|uGS|值，称开启电压。 2. 低频跨导gm——uDS为定值时，iD的变化量与引起该变化的uGS的变化量的比值，