第8章半导体存储器与可编程逻辑器件汇编.ppt

图是用8片1024×1的RAM构成1024×8的RAM接线图 8.3.2 字扩展方式 每一片256×8的A0～ A7可提供28＝256个地址，为0～0到1～1，用扩展的字A8、 A9构成的两位代码区别四片256×8的RAM，即将A8、 A9译成四个低电平信号，分别接到四片256×8RAM的CS ?，如下表 四片256×8RAM地址分配为 实现的电路如图7.4.3所示 如果一片RAM或ROM的位数和字数都不够，就需要同时采用位扩展和字扩展方法，用多片组成一个大的存储器系统，以满足对存储容量的要求。 再由字扩展方式构成1024×8位RAM，如图7.4.6所示，所以一共用了8片256×4位的RAM。 (2) 当地址码为0011001100,且R/W?=1 时，A9A8=00，256×8(1)组被选中，其他组被封锁。 8.3 存储容量的扩展 当使用一片ROM或RAM器件不能满足对存储容量的需求时，则需要将若干片ROM或RAM组合起来，构成更大容量的存储器。存储容量的扩展方式有两种：位扩展方式和字扩展方式。 8.3.1 位扩展方式 若每一片ROM或RAM的字数够用而位数不足时，应采用位扩展方式。接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 图是由两片2114扩展成1024×8位的RAM电路连线图。 若每一片存储器(ROM或RAM）的数据位数够而字数不够时，则需要采用字扩展方式，以扩大整个存储器的字数，得到字数更多的存储器。 例 用4片256×8位的RAM接成一个1024×8位的RAM接线图 1024×8 RAM 解： 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 CS4? CS3? CS2? CS1? A8 A9 图7.4.3 例7.4.2 试用256×4位的RAM，用复合扩展的方法组成1024×8位的RAM。要求：①画出连线图；②指出当R/W?=1，地址为0011001100时，哪个芯片组被选通？③指出芯片组(0)、(1)、(2)、(3)的地址范围。 解 ：（1)先用位扩展方式构成256×8位的RAM，其连线图如图7.4.5所示； (3)256×8(1)的地址为（0000000000)B~(0011111111)B ; 256×8(2)的地址为（0100000000)B~(0111111111)B ; 256×8(3)的地址为（1000000000)B~(1011111111)B ; 256×8(4)的地址为（1100000000)B~(1111111111)B 。 8.4 可编程逻辑器件（PLD) PLD是ASIC的一个重要分支。PLD包括PLA、PAL、GAL和EPLD、FPGA等。 PLD具有集成度高，速度快，保密性好，可重复编程等特点。 输 入 输 出 输 入 电 路 与 阵 列 或 阵 列 输 出 电 路 PLD基本结构框图 互补 输入项 与项 或项 反馈项 根据与、或阵列的可编程性，PLD分为三种基本结构。 1）与阵列固定，或阵列可编程型结构 PROM属于这种结构。 2）与、或阵列均可编程型结构 PLA(Programmable Logic Array)属于这种结构。 特点：与阵列规模大，速度较低。 特点：速度快，设计逻辑函数可采用最简结构，芯片内部资源利用率高。但编程难度大，缺乏质高价廉的开发工具。 3）或阵列固定，与阵列可编程型结构 PAL(Programmable Array Logic)属于这种结构。 该结构称为PAL结构。 特点：速度快，费用低，易于编程。当前许多PLD器件都 采用这种结构。 第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 数字逻辑器件分类： 1） 标准产品：包括门、触发器、计数器、译码器、数据选择器等等中小规模数字电路。 标准产品的特点是：批量大，成本低，价格便宜，速度快。是数字系统传统设计中使用的主要逻辑器件。 缺点是：器件密度低，所构成的数字系统规模大，印刷线路板走线复杂，焊点多，使电路的可靠性差，功耗大。 2）由软件配置的大规模集成电路：如微处理机、单片微型计算机等。 8.1 概述 这类电路的特点：器件密度高，逻辑功能可由软件配置，用它所构成的数字系统硬件规模小，系统灵活性高。 缺点：工作速度不够高，另外，这类芯片一般要用多片标准集成电路构成外围电路才能工作。 3）专用集成电路（ASIC) Application Specific Integrated Circuit ASIC是为满足一种或几种特定功能而设计制造的集成电路芯片，密度高， ASIC芯片能取代由若干个中小规模电路组成的电路板，甚至一个完整的数字系统 ASIC分类： ASI