KJ硅光电池特性的概念.ppt

TKGD－1型硅光电池特性实验仪 1.PN结的形成及工作原理 当P型和N型半导体材料结合时，P 型（ N型）材料中的空穴（电子）向N 型（ P 型）材料这边扩散，扩散的结果使得结合区形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区。 零偏 负偏 正偏当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄，势垒削弱。 2.硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它可把入射到它表面的光能转化为电能。当有光照时，入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。 （1） PN结两端的电流： 光电池处于零偏时，V＝0，流过PN结的电流I＝－IP ；光电池处于反偏时（实验中取V ＝－5V），流过PN结的电流I ＝－IP- Is ，当光电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。 （2）光电