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收稿日期: 2002-11-11; 　定稿日期: 2003-01-16 文章编号: 1004-3365( 2003) 06-0527-04 新结构MOSFET 林　钢, 徐秋霞 (中国科学院　微电子中心, 北京　100029) 　 摘　要: 　和传统平面结构 MOSFET 相比,新结构 MOSFET 具有更好的性能(如改善的沟道效应 ( SCE) ,理想的漏诱生势垒降低效应( DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了 五种典型的新结构 MOSFET, 包括平面双栅 MOSFET、FinFET、三栅 MOSFET、环形栅 MOSFET 和竖直结构 MOSFET。随着MOSFET 向亚50 nm 等比例缩小,这些新结构器件将大有 前途。 关键词:　MOSFET ; 平面双栅 MOSFET ; FinFET ; 三栅 MOSFET ; 环形栅 MOSFET; 竖直结 构 MOSFET 中图分类号: 　T N432 文献标识码:　A 　 An Overview of MOSFETs with Novel Structures LIN Gang , XU Qiu-x ia ( Micr oel ectr onic s Center , T he Chinese A cademy of Sc iences, B eij ing, 100029, P . R . China) 　 Abstract: 　Compared w ith the t raditional planar MOSFET s, MOSFET s with novel structures have better perfo rmance, such as improved SCE, ideal DIBL and sub-thr eshold slope , as well as higher driving ability . Five types of novel str uct ur ed M OSFET s, including planar double-gat e MOSFET s, F inFET s, tr i-gate MOSFET s, ga te-all-around MOSFET s and vert ical MOSFET s, are descr ibed in the paper . A s MOSFET s are sca ling dow n t o sub-50 nm , these dev ices a re very pr omising. Key words: 　M OSFET ; Double-ga te MOSFET ; F in-FET ; T r i-gate M OSFET ; Gate-all-around MOSFET ; Vertical MOSFET EEACC:　2560R 　 1　引　言 在过去的三十年中,集成电路技术一直遵循着 摩尔定律快速发展。根据 IT RS ( Inter nat ional Technolo gy Roadmap for Sem iconductor ) 2001 年 的预测,按照目前集成电路等比例缩小的趋势, 到 2014年, MOS 器件的特征尺寸将达到 35 nm ,一块 芯片上集成的晶体管数目将超过 1000亿个。 然而,当器件尺寸达到亚 50 nm 时, 已经接近 按比例缩小的极限。此时, 传统的平面结构 MOSFET 将面临很多难题。 1) Lg 50 nm 后, 短沟道效应( SCE )将变得非 常严重,在低的阈值电压下, 既要获得高的驱动电 流,又要维持小的关态漏电流, 这是一个严峻的挑 战。 2)栅氧厚度的限制。当特征尺寸降低到亚 50 nm ,为了减小短沟道效应, 对应的栅氧厚度需要降 低到 0. 6～0. 8 nm ,此时, M OSFET 的直接隧穿电 流会非常大;另外,对于 P + 多晶硅栅 PMOSFET, 由 于栅介质太薄, B穿通现象会非常严重;这些都会影 响器件的正常工作。 3) 结深的限制。为了 减小短沟道效应, M OSFET 的结深要尽可能地小;同时,为了减小串 连电阻, 需要增加 S/ D 区的掺杂浓度。由于掺杂浓 度受到杂质“固溶度”的限制, 当掺杂的浓度达到了 杂质“固溶度”时,串连电阻就很难减小了。 4)多晶硅栅的电阻会随着栅长度变窄而急剧上 升,这对器件来说也是很不利的。 此外,传统的平面结构晶体管还受到加工设备 方面的限制,例如光刻技术和热处理技术等方面的 限制。为了解决上述问题,世界各国的研究者提出了 第 33 卷第 6期 2003 年 12月 微 电 子 学 Microelectronics Vol. 33,