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光生伏特效应 光生伏特效应简称为光伏效应，指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象。 PN结 qUD=EFN-EFP UD=(EFN-EFP)/q= 光照下的P-N结－－光电效应 光照下的P-N结－－电流方程 I=I0eqU/KT - ( I0 + Ip ) 令Ip=S E，则 I=I0eqU/KT - ( I0+S E ) 光照下的P-N结－－开路电压 0=I0 e qU/KT - ( I0+S E ) Uoc=( KT/q ) ln ( S E+I0 )/ I0 ≈( KT/q ) ln (S E/I0 ) I=I0eqU/KT - ( I0+S E ) 光照下的P-N结－－短路电流 U=0时的I值，得Isc=SE Uoc与Isc是光照下P-N结的两个重要参数，在一定温度下，Uoc与光照度E成对数关系，但最大值不超过接触电势差UD。弱光照下，Isc与E有线性关系。 不同状态下P-N结的能带图 a)无光照时热平衡态，NP型半导体有统一的费米能级，势垒高度为qUD=EFN-EFP。 b)稳定光照下P-N结外电路开路，由于光生载流子积累而出现光生电压Uoc不再有统一费米能级，势垒高度为q(UD-Uoc)。 c)稳定光照下P-N结外电路短路，P-N结两端无光生电压，势垒高度为qUD，光生电子空穴对被内建电场分离后流入外电路形成短路电流。 d)有光照有负载，一部分光电流在负载上建立起电压Uf，另一部分光电流被P-N结因正向偏压引起的正向电流抵消，势垒高度为q(UD-Uf) over 丹倍效应 由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮光面之间的伏特现象 丹倍电压 光磁电效应 在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上下表面产生伏特电压，成为光磁电场，这种现象倍称为半导体的光磁电效应 光磁电场 光子牵引效应 当光子与半导体中自由载流子作用时，光子把动能传递给自由载流子，自由载流子将顺着光线的传播方向做相对于晶格的运动，在开路时，半导体将产生电场这现象称为光子牵引效应 外光电效应 1．斯托列托夫定律(光电发射第一定律) Ik = Sk.Фk 2．爱因斯坦定律(光电发射第二定律) 3．光电发射的红限 4．光电发射的瞬时性 光电发射过程包括3个基本阶段 ①电子吸收光子以后产生激发，即得到能量 ②得到光子能量的电子(受激电子)从发射体内向真空界面运动 ③这种受激电子越过表面势垒向真空逸出 思考题 一、概念题： 1、光电效应： 2、光电发射第一定律： 3、光电发射第二定律： 二、简答题： 1 外光电效应和内光电效应的区别是什么？ 2 光生伏特效应的主要特点是什么？ 3 光电发射材料K2CsSb的光电发射长波限为680nm，试求该光电发射材料的光电发射阈值。 思考题 1 辐射度量与光度量的根本区别是什么？为什么量子流速率的计算公式中不能出现光度量？ 2 何谓余弦辐射体？余弦辐射体的主要特性有哪些？ 3 试计算人体正常体温下的峰值波长为多少？当发烧到38.5°C时，其峰值波长又为多少？峰值光谱出射度为多少？ 4 试求一束功率为30mW、波长为632.8nm激光束的光子流速率N. 1.2 光电器件的物理基础 半导体基础知识 1．能带理论 2．热平衡态下的载流子 3．半导体对光的吸收 4．非平衡态下的载流子 半导体基础知识 能带理论 1．原子能级与晶体能带 半导体基础知识 能带（Enegy Band）： ? 禁带（Forbidden Band）：?? ? 价带（Valence Band）：? ??导带（Conduction Band）： ??? 能级（Enegy Level）： 绝缘体、半导体、金属的能带图 a) 绝缘体? b) 半导体? c) 金属 导带 禁带 价带 EC Ev Eg 导电机构 半导体基础知识 晶体实物图 晶体构造示意图 金刚石结构（Ge、Si晶体） 闪锌矿结构（GaAs晶体） 2．本征半导体与杂质半导体 半导体基础知识 本征半导体 杂质硅的原子图象和能带图 a) N型半导体? b) P型半导体 N型半导体 P型半导体 半导体基础知识 半导体 所掺杂质 多数载流子（多子） 少数载流子（少子） 特性 N型 施主杂质 电子 空穴 电子浓度nn空穴浓度pn P型 受主杂质 空穴 电子 电子浓度np≤空穴浓度pp 杂质半导体 费米-狄拉克函数曲线 电子占据某一能量状态E的几率 EF费米能级 热平衡态下的载流子 半导体基础知识