《华中科技大学-刘勃-模拟电子技术》习题课2015-2.pdfVIP

5.2.2 电路如图题 5.2.2 所示，设 R1＝R2＝100kΩ，VDD＝5V，Rd＝7.5kΩ，VT＝－1V， KP＝0.2mA/V 2。试计算图题 5.2.2 所示 P 沟道增强型 MOSFET 共源极电路的漏极电流 ID和 漏源电压 VDS。 解 V5.2V5 100100 100 DD 21 2 G ?? ? ?? ? V RR R V 栅源电压为 V5.2V)55.2(DDGGS ?????? VVV 设场效应管工作于饱和区，漏极电流为 mA45.0mA)15.2(2.0)( 22TGSpD ????????? VVKI 漏源电压为 1.625VV5.70.45V5DDDDDS ????????? RIVV 由于 1.5V1)V2.5()(V625.1 TGSDS ????????? VVV ，说明场效应管的确工作于饱和区。 VDD R1 s B ID g T d Rd R2 图题 5.2.2 注意方向， P沟道 id流出为负。 5.2.5 电路如图 5.2.10a 所示。设 R＝0.75kΩ，Rg1＝Rg2＝240kΩ，Rs＝4kΩ。场效应管 的 gm＝11.3mA/V，rds＝50k