SnO2纳米片容量异常行为的新解释.pdfVIP

En 鹰疆罩晴11 恒温栓在 Sn0 2 纳米片容量异常行为的新解释 王栋梁 1 ， 张利波 2 (中航惶电(洛阳)有限公司，河南洛阳 471003) 摘要:纳米 Sn02 作为徨离子电池负极材料，充煎电容量有时会超过其容量的理论值。传统的解释一般包含以下三个方 面 : (1) 在嵌徨过程中， Sn02 负极材料表面形成的 SEI 膜消耗或释肢部分铿离子 ;(2) 充煎电过程中Li 20 发生部分可逆反 应; (3) 纳米材料本身独特的孔结构可储存额外的锺离子。这里，基于所制备的 Sn02 纳米片，提出了另外一种可能引起 其高容量的原因:即