实验十一射频前端发射器-硬件和射频工程师.doc

实验十一：射频前端发射器 （RF Front-end Transmitter）** 一、实验目的： 1、了解射频前端发射器的基本结构与主要设计参数。 2、利用实验模组的实际测量了解射频前端发射器的特性。 二、预习内容： 1、预习放大器、滤波器、混频器、功率放大器的原理的理论知识。 2、预习放大器、滤波器、混频器、功率放大器的设计的原理的理论知识。 三、实验设备： 项次 设备名称 数量 备注 1 MOTECH RF2000 测量仪 1套 亦可用网络分析仪 2 发射器模组 1套 3 微带天线 1组 RF2KM10-1A 4 50Ω BNC及1MΩ BNC 连接线 4条 CA-1、CA-2 、CA-3、CA-4 5 直流电源连接线 1条 DC-1 6 MICROWAVE软件 1套 微波软件 四、理论分析： 基本结构与设计参数说明： 在无线通讯中，射频发射器担任着重要的角色。无论是话音还是数据信号要利用电磁波传送到远端，必须使用射频前端发射器。如图11－1所示，它大抵可分成九个部分。 1． 中频放大器(IF Amplifier) 2． 中频滤波器(IF Bnadpass Filter) 3． 上变频频混频器(Up-Mixer; Up Converter) 4． 射频滤波器(RFBandpass Filter) 5． 射频驱动放大器(RF Driver Amplifier) 6． 射频功率放大器(RF Power Amplifier) 7． 载波振荡器(Carrier Oscillator; Local Oscillator) 8． 载波滤波器(LO BPF) 9． 发射天线(Antenna) 其中放大器的基本原理与设计方法可参考主题七，而滤波器的基本原理与设计方法已可参考主题六的说明。至于振荡器的部分，可于主题八与与主题九获得一些参考。 天线部分则可由主题十得到概念。 所以,在此单元中将就上变频器部分的基本原理做一说明。并介绍发射器的几个重要设计参数。 图11-1基本射频前端发射器结构图 (一) 升频混频器的基本原理 升频混频器的基本电路结构图如图11-2所示。在二极管上的电流如式(11-1)所示。 （11-1） 其中 IS——二极管的饱和电流 VIF——中频信号的振幅大小 fIF —— 中频信号的频率大小 VLO—— 载波信号的振幅大小 FLO ——载波信号的频率大小 混频后的输出射频频率为 其中 m，n可为任意正负整数 在绝大多数情况下,RF频率应是载波与IF频率的和或差,即是。至于取和频或差频则根据发射器射频指标及系统参数,利用射频输出端的滤波器可以阻隔三端间的互相干扰( ISOLATION),以避免其他不必要的混频信号漏(LEAKAGE)到输出端造成的噪声(SPURIOUS)。 主要的噪声信号,有下列几种: (假设) 1. 镜频信号 ( IMAGE FREQUENCY ): 2. 载波信号的谐波( CARRIER HARMONICS ): ，n=正整数 3. 边带谐波信号( HARMONIC SIDEBANDS ): 上述噪声皆是在混频器及滤波器设计中,需要特别加以抑制处理的。 (二) 混频器的主要技术参数 (1) 变频耗损或增益( CONVERSION LOSS/GAIN,L C) 除非有特别注明,一般的变频损耗皆按上式定义,即单边带变频耗损( SINGLE-SIDEBAND(SSB) CONVERSION LOSS ), 即只考虑射频输出信号频率为fLO+fIF或fLO-fIF。若是定义为双边带变频损耗(DOUBLE-SIDEBAND(DSB) CONVERSION LOSS), 则比单边带转频损耗低3dB。 (2) 输入端回波损耗或电压驻波比( PORT RETURN LOSS OR VSWR) 如同其他射频电路,输入端的回波损耗或电压驻波比是评价匹配与否的重要参数。对混频器而言,其输入端电压驻波比规格一般定在2 : 1 (IRL=-10 ), 最差为2.5 : 1 (-7.3)。 而各端口的回波损耗,受LO端输入功率的增加,各端口的阻抗会随之降低,致使各端口的回波损耗变大。 (3) 信号端与本振端的隔离比(PORT ISOLATION) 信号端与本振端的隔离比为评价LO端与RF端,和LO 端与IF端的噪声的干扰抑制程度。 (4) LO端最低输入功率(MINIMUM LO POWER REQUIRED) 对于混频器而言,LO端最低输入功率的大小直接影响到混频的效果好坏。所以,一般有此项指标。而功率越低应用越方便。 (5) 镜象抑制度( IMAGE REJE