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百例失效分析反映的元器件应用问题 张晓明 中国电子产品可靠性与环境试验研究所 (广州市1501信箱510610 摘要:本文回顾了研究分析中心近几年对使用中失效的元器件的分析结果，对失效模式作了粗略的统计，在半导体和徽电子器件中EOS/ESD导致的失效占总失效数的四成多、是形响器件应用可靠性的最重要因素.正确选择器件、针对性的检脸和适当的使用设计与防护技术，是降低EOS/ESD失效的重要措施.此外，在电子行业中，加工工艺粗糙仍然制约着国内产品的质盈. 交纭 近年来，国内电子信息产业迅猛发展，相关的研发、加工与技术支持日趋活跃，带动一批新兴产业蓬勃发展。由于电子产品的高度复杂性，质量与可靠性已经成为制约企业乃至产业发展的重要因素。可靠性不良对商誉的影响以及大规模售后维修支出的大笔费用使得许多企业不得不加大对可靠性的关注与投入，“可靠性”因而成为一种市场需求。“失效分析”伴随可靠性物理和电子业的发展，已经成为电子和机电产品质量与可靠性改进的荃础技术和重要手段。在这样的背景下，我们为企业完成了数百项失效分析任务，取得了较好的社会效益。为了使这些成果更好地为社会服务，我们将工作中发现的较为普通的共性问题总结出来，供同行参考。 图1是对约100例半导体分立器件、集成电路和混合集成电路失效模式的统计分布。EOS/ESD是过电应力和静电放电，由〔OS/ESD引起的失效占总失效数的四成多，本文将重点讨论这方面的问题。元器件和电子业制造工艺方面的一些普遍问题也希望电子业的同行有所了解，以便共商对策。 一、电源浪涌、静电放电或电压瞬变引起的失效问题 电源浪涌或电压异常波动是造成器件烧毁的最常见因素，尤其是整机中的电源部分，常见整流堆、开关电源调整管、滤波电容器和浪涌吸收元件在过电应力下烧毁。 例:某电视机厂送来失效全桥硅整流器RB-156，分别由国内两家半导体厂生产，重复峰值反向电压为60Y. 经分析是过电压烧毁。鉴于该类整机主要面向农村市场，供电质量不良，因此建议提高整流器的耐电压余量，改进后再无同类失效发生。 同样的问题也曾发生通信类产品和其他产品中，此处不再枚举。浪涌或瞬变引起CMOs器件门锁在集成电路失效中仍占有较大比例，应引起电路应用单位重视。例:某通信设备厂送来国外品牌的失效 COMBO .173 电路，经分析认定为电源端曰锁失效。 几;翩曰. 经对该电路良品电源端作门锁特性测试，发现 50mA的电源电流就可以触发门锁效应，且维持电压在3V以下，远低于5V左右的正常工作电压，实测数据见表1中的A品牌。这类器件一旦在电源浪涌的作用下触发门锁便无法自行退出大电流状态，因而器件烧毁是必然的结果。 值得注意的是，相同功能的电路不同品牌门锁特性差距很大，而同是A品牌，改进前50mA电源电流就足以触发门锁，改进设计后电源电流加到50OmA仍不发生门锁，差距也很大。由此可见，切实把好CMOS电路的选型和采购关是非常重要的。 注 :表甲丽垂处的数据表明在相应的维持电流下器件不能自行退出门锁状态 部分抗门锁能力较强的CMOS电路在应用中仍然频频发生门锁失效，大部分原因是使用不当，如加电顺序不对，电路板带电插拔而又没有采取必要的措施，器件保护不当，线路或布线设计不合理等等。这些虽然都是老生常谈，但并未被产品设计者普遍接受和掌握，正如ESO的危害在一些单位仍未引起足够的重视。 例:某整机研制单位送来国外品牌的失效 EEPROM电路，在整机试验过程中刚开机或开机短时间后失效，失效模式为不能擦除。调试好的整机接有长电缆井直接连接到失效电路上，较长时间内电缆另一端未连接任何东西，处于悬浮电位状态。对电路作测试发现部分控制端端口特性异常，开封后可见芯片上相应的压焊点附近有电击穿的典型形貌，如图2所示，应为ESD损伤所致。 在与众多委托单位接触过程中，曾听到过诸如“现在的电路静电放电的问题已经解决了”等天真的观点，说明部分技术人员对ESD或其他电瞬变的认识还存在较大的误区。事实上，回顾几年来我们对大量器件作的静电放电敏感度试验，结论是无论CMOS电路、双极电路甚至分立器件都存在ESD敏感现象。96至97年间，我们对43个型号的国产器件(含HIC)作了ESD评价试验，有16种通过了军标要求的2000V。同时，我们还作了若千国际著名品牌9种可相互替换的IC产品的抗ESD水平比较，结果证明不同品牌的产品抗ESD的水平差距很大，差的器件在 500V的ESD试验后端口特性即发生明显变化，而好的器件在4KV试验后特性未见任何变化。因此.建议器件使用单位重