半导体器件原理简明习题傅兴华讲义.pdf

半导体器件原理简明教程习题答案 傅兴华 1.1 简述单晶、多晶、非晶体材料结构的基本特点. 解 整块固体材料中原子或分子的排列呈现严格一致周期性的称为单晶材料; 原子或分子的排列只在小范围呈现周期性而在大范围不具备周期性的是多晶材料; 原子或分子没有任何周期性的是非晶体材料. 1.6 什么是有效质量，根据 E(k)平面上的的能带图定性判断硅鍺和砷化镓导带电子的迁移率 的相对大小. 解 有效质量指的是对加速度的阻力. k E hm k ? ? ? 21 * 1 由能带图可知,Ge 与 Si 为间接带隙半导体,Si 的 Eg 比 Ge 的 Rg 大，所以 Ge? Si? .GaAs 为 直接带隙半导体,它的跃迁不与晶格交换能量,所以相对来说 GaAs? Ge? Si? . 1.10 假定两种半导体除禁带宽度以外的其他性质相同,材料 1 的禁带宽度为 1.1eV,材料 2 的禁带宽度为 3.0eV,计算两种半导体材料的本征载流子浓度比值,哪一种半导体材料更适 合制作高温环境下工作的器件? 解 本征载流子浓度: )exp()(1082.4 2 0 15 T dpdn i k Eg m mm n ?? ?两种半导体除禁带以外的其他性质相同 ? ) 9.1 exp( )exp( )exp( 0.3 1.1 2 1 Tk k kn n T T ?? ? ? ? Tk 9.1 0 ? 21 nn ? ?在高温环境下 2n 更合适 1.11 在 300K 下硅中电子浓度 330 102 ??? cmn ,计算硅中空穴浓度 0p ,画出半导体能带图, 判断该半导体是 n 型还是 p 型半导体. 解 317 3 210 0 2 0 2 00 10125.1 102 )105.1( p ??? ? ? ???? cm n n npn ii ?? 00 np? 是 p 型半导体 1.16 硅中受主杂质浓度为 31710 ?cm ,计算在 300K下的载流子浓度 0n 和 0p ,计算费米能级相 对于本征费米能级的位置,画出能带图. 解 317 0 10 ??? cmNp A 2 00 inpn ? T=300K→ 310105.1 ??? cmni 33 0 2 0 1025.2 ????? cm p n n i 00 np ?? ?该半导体是 p 型半导体 ) 105.1 10 ln(0259.0)ln( 10 17 0 ? ???? i FPi n p KTEE 1.27 砷化镓中施主杂质浓度为 31610 ?cm ，分别计算 T=300K、400K 的电阻率和电导率。 解 316 0 10 ??? cmNn D ??? ???? ? i i nKT cmnKT 400 102300 36 0 0 2 n n pnpn iioo ??? 电导率 pn qpqn ??? 00 ?? ，电阻率 ? ? 1 ? 1.40 半导体中载流子浓度 314 0 10 ?? cmn ,本征载流子浓度 31010 ?? cmni , 非平衡空穴浓度31310 ?? cmp?,非平衡空穴的寿命 sn 6 0 10 ??? ,计算电子-空穴的复合率,计算载流子的费米能级和准费米能级. 解 因为是 n 型半导体 tp NC n 1 0 ?? cm n p pNCR to 19 0 10??? ? ? ? )ln( 0 i iFn n pn kTEE ?? ?? )ln( i o Fpi n pp kTEE ?? ?? 2.2 有两个 pn 结,其中一个结的杂质浓度 317315 105,105 ?? ???? cmNcmN AD ,另一个结的 杂质浓度 319317 105,105 ?? ???? cmNcmN AD ,在室温全电离近似下分别求它们的接触电 势差,并解释为什么杂质浓度不同接触电势差的大小也不同. 解 接触电势差 )ln( 2 i DA D n NN q kT V ? 可知 DV 与 AN 和 DN 有关,所以杂质浓度不同接触电势 差也不同. 2.5 硅 pn 结 317316 10,105 ?? ??? cmNcmN AD ,分别画出正偏 0.5V、反偏 1V 时的能带图. 解 310105.1300 ????? cmnKT i 210 617616 19 23 2 )105.1( 101010105 ln 106.1 3001038.1 )ln( ? ???? ? ?? ?? ?? ? ? i DA D n NN q kT V = V21002.8 ?? 正偏: 19 19 108.0 1037.0)( ? ? ?? ??? qV V