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触摸按键介绍 硬件二所 尹明 2009-1-7 目 录 一、触摸按键简介 1、概述 2、原理介绍 3、应用简介 二、触摸按键的几个案例分析 三、软件与售后 一、触摸按键简介 1、概述 随着多媒体信息查询的与日俱增，人们越来越多地谈到并利用触摸 按键，因为触摸按键具有坚固耐用、反应速度快、节省空间、易于操作 等许多优点。根据工作原理不同，触摸式按键可分为四大类：电阻式、 电容式、红外线式以及表面声波式感应按键。 电阻式触摸按键：电阻式的触摸按键原理非常类似于触摸屏技 术，需要由多块导电薄膜上面按照按键的位置印制而成，因此这种按键 需要在设备表面贴一张触摸薄膜。电阻式触摸技术一直由于其低廉的价 格而深受厂商的喜爱，但是由于导电薄膜的耐用性较低，并且也会降低 透光性，因此已经被越来越多的厂家所抛弃。 电阻式、红外线式与表面声波式触摸技术主要应用于触摸屏上，单 个按键很少使用。 一、触摸按键简介 1、概述 电容式触摸按键：主要是为了克服电阻式触摸按键的 耐用性所提出的，电容式触摸按键采用电容量为判断标准。对于 单个按键来说它具有的优点如下： 1、可直接集成在PCB中； 2、灵活的外形尺寸； 3、相对额外成本极低。 一、触摸按键简介 2、原理介绍 C=C基+△C 基电容C基由PCB材质和结构决定，它 主要由铜盘与地之间的电容和电路即 有寄生电容组成； 变化电容△C是基于寄生效应，主要 指外界导体与PAD之间的寄生电容； 图1 一、触摸按键简介 2、原理介绍(TI) 如图2，根据电路可知： B点要么为高要么为低，即只有3.3V 和0V两个状态；因此A点对应为2.2V和 1.1V两个状态；假设B为高，则A点电压 为2.2V，此时B点3.3V通过R24对电容C 进行充电，当电容上的电压大于2.2V 时，比较器翻转，B点电压为低，A点电 压为1.1V，电容C通过R24对B点进行放 电，当电容电压小于1.1V，比较器再次 翻转，B点为高，由此循环下去。 由于每个周期中C点放电的始末电压 和充电的终始电压对应相等，由 T=RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]，因此冲放 电时间相等；可见，这是一个标准的占 空比为50％的方波发生器。图2 一、触摸按键简介 2、原理介绍(TI) 各点电压波形如下图3： 图3 图2 一、触摸按键简介 2、原理介绍(TI) 由上可知，电容C与R24决定了B点方波的周期T，而电路中电阻值不会改变，当 电容C发生变化时，相应单位时间内方波的翻转次数改变，当增大或减小的值等于 某预设值时，MCU判断相应键被按下。 TI的msp430F2111内部集成16M时钟发生器，扫描六个键的时间周期为14.6ms； 实际应用中将单位扫描周期内翻转次数变化达到百分之三为判断依据； 例如某键基电容为25pf，则冲放电周期为： T=2*RC*Ln[(Vcc-V0)/(Vcc-Vt)] =2*100*103*25*10-12*LN[(3.3-1.1)/(3.3-2.2)]s =3.465us 单位扫描周期内（2.62ms）方波翻转次数为： n=2*2.62/3.465*1000=1512次 则临界翻转次数为： △n=1512*3%=46次 即检测到翻转次数小于等于1466次时判定按键按下。 实际应用中只考虑电容变大的百分率达到百分之三为触发临界，而电容减小的 情况不予响应。 一、触摸按键简介 3、应用简介(TI) 触摸盘 LED灯控 制 图4 一、触摸按键简介 3、应用简介 触摸按键最关键的的设计是在PCB排版上，为了获得稳定且较高的灵敏度， 应遵从以下原则： a、基电容容值小； b、基电容稳定抗噪； c、尽量获得大的△C； 常见做法有：优化触摸铜盘大小尺寸；减小铜盘与地之间的距离；减小铜盘 与手的距离；触摸盘背面铺地用30％～60％的网格铺设等等。 图5 一、触摸按键简介 CYPRESS: Cypress主要采用一种叫做CapSense触摸感应技术，它是Cypress半导体使 用CY8C21x34系列PSoC芯片开发的、用于触摸式按键、触摸式滚动条（Slider）、 触摸式平板(Touchpad)的触摸感应技术。它利用PSoC的CY8C21x34系列芯片一些 特有的资源，根据电容感应的原理和松弛震荡器的技术实现触摸感应。区别于其 他触摸感应技术，CapSense技术具有几乎不需要外围元件，每一个按键的灵敏度 可单独调整，一个芯片可同时实施多个触摸式按键和触摸式滚动条等优点。可 用于各种家电产品代替传统的轻触按键和薄膜键盘。同样它也非常适合在时尚的 手机上使用。 一、触摸按键简介 CapSense原理： CapSense技术是根据电容感应的原理和松弛震荡器来实现触摸感应。如下 图6中左半面是一个松弛震荡器，它的工作原理为：使用恒流源以iCH