霍尔检测元件详解.ppt

1 霍尔传感器 霍尔元件 2 1.霍尔效应 1878年美国物理学家霍尔首先发现金属中的霍尔效应，因为太弱没有得到应用。 随着半导体技术的发展，人们发现半导体材料的霍尔效应非常明显，并且体积小有利于集成化。 霍尔传感器是基于霍尔效应。 3 通电的导体（半导体）垂直放在磁场中，导体在垂直于电流I与磁场B方向上会产生感应电动势，这种现象称为霍尔效应。 4 在与磁场垂直的半导体薄片上通以电流I，假设载流子为电子(N型半导体材料)，它沿与电流I相反的方向运动，由于洛仑兹力fL的作用，电子将向一侧偏转，并使该侧形成电子的积累，而另一侧形成正电荷积累，于是元件的横向便形成了电场。该电场阻止电子继续向侧面偏移，当电子所受到的电场力fE与洛仑兹力fL相等时，电子的积累达到动态平衡。这时在两横端面之间建立的电场称为霍尔电场EH，相应的电势称为霍尔电势UH。 霍尔电势的产生 5 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立起霍尔电势。 c d 6 在磁场作用下导体中的自由电子做定向运动。 每个电子受洛仑兹力作用被推向导体的另一侧： 霍尔电场作用于电子的力 霍尔电场 当两作用力相等时电荷不再 向两边积累达到动态平衡： ——霍尔电势 7 霍尔电势与电流和磁场强度的关系： 通过（半）导体薄片的电流I与下列因素有关： 载流子浓度n，电子运动速度v，导体薄片横截面积 a*d， e 为电子电荷量。 代入后： 与材料有关 霍尔常数 霍尔电势与电流和磁场强度的乘积成正比 与薄片尺寸有关 霍尔灵敏度 式中：ρ—电阻率、n—电子浓度 μ—电子迁移率μ=υ/E 单位电场强度作用下载流子运动速度。 8 磁场不垂直于霍尔元件时的霍尔电动势 若磁感应强度B不垂直于霍尔元件，而是与其法线成某一角度? 时，实际上作用于霍尔元件上的有效磁感应强度是其法线方向（与薄片垂直的方向）的分量，即Bcos?，这时的霍尔电势为 UH=KHIBcos? 结论：霍尔电势与输入电流I、磁感应强度B成正比，且当B的方向改变时，霍尔电势的方向也随之改变。如果所施加的磁场为交变磁场，则霍尔电势为同频率的交变电势。 9 讨论： 任何材料在一定条件下都能产生霍尔电势，但不是都可以制造霍尔元件; 绝缘材料ρ很大，μ很小，不适用； 金属材料电子浓度n很高，RH很小，UH很小; 半导体材料电阻率ρ较大,RH大，非常适于做霍尔元件，半导体中电子迁移率一般大于空穴的迁移率，所以霍尔元件多采用 N 型半导体（多电子）; 厚度d越小，霍尔灵敏度 KH 越大，所以霍尔元件做的较薄，通常近似1微米(d≈1μm) 。 10 2. 霍尔元件的基本结构与基本测量电路 （1） 霍尔元件基本结构 霍尔元件的结构很简单，它是由霍尔片、四根引线和壳体组成的，如图。霍尔元件一般可用两种符号表示，如图（b）所示。 霍尔片是一块矩形半导体薄片，引出四根引线： 1、 1′两根引线加激励电压或电流，称激励电极（控制电极）； 2、 2′引线为霍尔输出引线， 称霍尔电极。 11 （2） 霍尔传感器基本测量电路 霍尔晶体的外形为矩形薄片有四根引线， 两端加激励，两端为输出，RL为负载电阻 ； 电源E通过R控制激励电流I； 磁场B与元件面垂直（向里） 实测中可把I*B作输入， 也可把I或B单独做输入； 通过霍尔电势输出测量结果。 输出Uo与I或B成正比关系，或与I*B成正比关系。 12 霍尔元件的转换效率较低，实际应用中，为了获得较大的霍尔电压，可将几个霍尔元件的输出串联起来。 在这种连接方法中，激励电流极是并联的。 虽然霍尔元件的串联可以增加输出电压，但其输出电阻也将增大。 霍尔元件输出串联 13 3.霍尔元件的应用 霍尔电势是关于I、B、? 三个变量的函数，即 EH=KHIBcos? 。 利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。 14 （1）霍尔传感器用于测量磁场强度 霍尔元件 测量铁心 气隙的B值 15 （2）霍尔转速表 将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。随着齿轮的转动，磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经放大、整形后可以确定被测物的转速。 S N 霍尔元件 磁铁 16 霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、整形后输出高电平；反之，