25第六章等效电路,影响阈值电压的因素分析报告.pptVIP

Physics of Semiconductor Devices;1、等效电路 2、频率响应 3、MOSFET的类型 4、影响阈值电压的其他因素 （1）掺杂浓度 （2）氧化层厚度 （3）衬底偏置; MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。;1. 线性导纳;在UDS较小时， gdl与UDS无关。随着UDS的增大，但还未到饱和区， gdl将会减小。此时有：;;2. 跨导;;;;;;;;;;;;3. 饱和区的漏极电阻;饱和区电导gds;4. 串联电阻对电导gd和跨导gm的影响; ② 对输出电导的影响;二 频率特性;MOSFET的小信号等效电路;MOSFET中的电容包括MOS电容，以及MOSFET的极间电容CGS、 CGD 、 CGB 、 CBD 、 CBS 等。;MOS瞬态电路模型（SPICE模型）;;2、模型参数;3、工作区域;;;;;;;;;;;;;;;常闭型;三 影响阈值电压的其他因素;阈值电压与衬底掺杂浓度、氧化层厚度的关系;控制阈值电压的方法：;（2）改变氧化层的厚度。这种方法广泛应用于MOSFET之间的隔离。这时，氧化层厚度比源漏区之外的氧化层（场区氧化层）薄得多。于是场区氧比层VTH比栅氧化层的VTH大得多。若将适当栅偏压同时加在硼氧化层和场氧化比层栅，栅下形成了反型沟道，而场氧化层下面的半导体表面仍保侍耗尽状态。;2. 衬底偏置的影响;为达到强反型，外加栅电压必须增强来补偿QB ，则有：