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《电子材料物理》复习提纲 电子材料的结构 晶体的结构与对称性 理解点阵结构与晶体结构之间的关系，能够根据晶体结构画出点阵图。 将构成晶体的结构济源抽象成一个几何点，这些几何点在空间按一定的规则重复排列所形成的阵列。 点阵反映晶体结构周期性的大小和方向。 掌握晶胞的基本概念，并会计算晶胞中结点的个数； 晶胞是从晶体结构中取出来的反映晶体周期性和对称性的重复单元。 熟悉七大晶系的特征。理解4种晶胞类型7大晶系14种点阵类型32种点群和230种空间群之间的相互联系 掌握晶体的宏观对称操作和微观对称操作，对于常见立方结构的晶体能够找出其中的对称操作元素； 旋转、反映、反演及旋转-反演 立方结构CsCl 各三个4次转轴和4次反轴，各四个3次转轴和3次反轴，各六个2次转轴和2次反轴，九个反映面，一个反演中心 掌握点群符号、空间群符号的含义以及空间群符号向同型点群符号的转变。 点群反映的是晶体理想外形的宏观对称性，空间群反映的是晶体内部原子等规则排列而具有的微观对称性。 空间群的数目多于点群，意味着微观对称性不同的晶体结构可能生长出相同的晶体外形，即同一个点群可能对应不同的空间群 空间群转点群 1、将滑移面转换为反映面2、将螺旋轴转换为旋转轴 2. 典型晶体结构 掌握密堆积，配位数，电负性等基本概念； 电负性：原子的电负性即是衡量分子中原子吸引电子的能力。电离能与亲和能之和则称为该元素的电负性。 掌握物质理论密度的计算方法； 理解鲍林规则的主要内容； 1、鲍林第一规则：负离子配位多面体规则 2、鲍林第二规则：电价规则 3、鲍林第三规则：多面体组联规则 4、鲍林第四规则：高价低配位多面体远离法则 5、鲍林第五规则：结构简单化法则 掌握典型离子晶体结构的类型及结构特征（重点AX型，钙钛矿型，正尖晶石型）。 只考氯化铯，重点钙钛矿，正尖晶石 晶体中的缺陷与扩散 熟悉点缺陷的定义及分类， 引起几个原子范围的点阵结构不完整，亦称零维缺陷 按产生原因：热缺陷，杂质缺陷，非化学计量缺陷，电荷缺陷，辐照缺陷等 掌握点缺陷Kroger-Vink符号的书写及表示的含义， 熟悉点缺陷形成的准化学反应方程式的书写原则，掌握热缺陷和MO型金属氧化物杂质缺陷准化学反应方程式的书写，并能根据质量作用定律计算平衡状态下缺陷的浓度。 电子材料的电导 掌握表征电导的物理参数及相关公式，掌握电导的分类及相应的特征物理效应；熟悉各种散射机制对迁移率的影响规律。 电导率 ， 迁移率。 电子电导----霍尔效应：金属或半导体薄片置于沿z方向磁场中，当在x方向有电流流过时，在y方向上将产生电动势。 离子电导----电解效应：由于离子导电发生迁移时，在电极附近发生电子得失，伴随有新物质的产生，即发生点解现象。 对于金属氧化物半导体，熟悉杂质缺陷和组分缺陷对半导体电导性能的影响，能利用缺陷准化学反应方程式和质量作用定律来讨论组分缺陷其电导率与氧分压的关系； 组分缺陷是重点！金属填隙型氧化物中中温区不考， 对于共价键半导体，熟练计算本征半导体和杂质半导体的电导率。 熟悉离子电导的影响因素与能斯特-爱因斯坦方程，熟悉稳定型ZrO2氧传感器的工作原理； 若两侧存在氧分压，则氧离子从高氧分压测向低氧分压侧移动，结果在高氧分压测产生正电荷积累，低测则反之，按照能斯特理论，产生电动势。在一侧氧分压已知的条件下，可以检测另一侧的氧分压大学。 掌握界面电导中的晶界效应，根据晶界效应能对压敏效应以及电阻的正温度系数（PTC）效应的形成机理作出合理解释。 晶界效应：主要发生n型多晶材料中，由于受主表面态使得在晶粒界面产生双肖特基势垒，该势垒根据材料本身特性的不同，可表现出压敏效应、PTC效应。 压敏效应：对电压变化敏感的非线性电阻效应。 当电压较低时，热激励电子，必须越过肖特基势垒而流过，故而电流很小；电压高于某值时，晶界上所捕获的电子，由于隧道效应通过势垒，致使电流急剧增大，从而呈现出异常的非线性关系。 PTC效应：n型半导体陶瓷晶界具有表面能级； 表面能及可以捕获载流子，产生电子耗损层，形成肖特基势垒； 肖特基势垒高度与介电常数有关，介电常数越大，势垒越低； 温度超过居里点，材料的介电常数急剧减小，势垒增高，电阻率急剧增加。 电子材料的介电性能 克劳修斯方程、德拜方程、介质弛豫公式 介质的极化 理解极化、极化率、极化强度、电偶极矩等基本概念； 电介质的极化：电介质在电场作用下产生感应电荷的现象。 电偶极矩： 极化强度：介质单位体积内的电偶极矩总和P=， 极化率：单位电场强度下，质点电偶极矩的大小称为质点的极化率。 掌握介质的极