3门极触发电路汇编.ppt

第三章.门极触发电路 l）.直流信号 2）.交流信号 3）.脉冲信号 3.1.概述 3.1.1.门极触发信号的种类 直流信号 交流信号 脉冲信号 尖脉冲 宽脉冲 双脉冲 强脉冲 脉冲列 3.1.2.晶闸管对门极触发电路的要求 l）触发脉冲应有一定的幅值和功率； 2）触发脉冲要有一定的宽度； 当用窄脉冲控制时．脉冲宽度至少要大于阳极电流上升到掣住电流IL的时间，否则当触发脉冲消失，晶闸管将又恢复阻断,对于三相桥式全控电路，要求触发脉冲宽度大于60O或者用间隔60O 的双窄脉冲代替宽脉冲。其他晶闸管电路，对脉宽有时也有不同的要求。 3）触发脉冲前沿要陡 晶闸管元件门极参数较分散，触发脉冲陡峭的前沿可使触发延迟角α稳定，减小门极参数分散性对α角的影响。另外，触发脉冲前沿越陡，元件开通时间越短，从而可提供精确的触发延迟角α 。 4）.触发脉冲要与主电路同步并有一定的移相范围。 在整流和有源逆变等由交流电源供电的电路中，为了使每一周波重复在相同的相位上触发，触发信号必须与主电路交流电源电压同步。同时，触发延迟角应能根据控制信号的要求而改变，即α应有一定的移相范围，例如全控电路要在整流和逆变状态运行，则移相范围需0O～180O。 3.2*.单结晶体管触发电路 l）单结晶体管(双基极二极管)结构 3.2.1.单结晶体管（UJT） 发射极 第一基极 第二基极 b1与b2之间仅有n型硅片电阻Rbb，，一般在3－12K之间。 Rbb亦可看作是由第一基极b1与发射极e位置之间n型硅片的体电阻Rb1和第二基极b2与发射极e位置之间n型硅片体电阻Rb2之和： Rbb =Rb1 +Rb2  2）.单结晶体管特性 据单结晶体管的结构，其等效电路可由图3.3（a）表示，其中二极管VD表示单结晶体管的PN结。 若Ubb＝0，则为一般二极管特性。当b1、b2之间加电压VBB，则特性Ue=f（Ie）如图3.3（b）所示。 AB段特性：在Ubb作用下的漏电流；另外， η称为单结晶体管的分压比，其值由单结晶体管的制造工艺决定，一般在0.3到0.85之间。 BC段特性：Up称为峰点电压，对应的电流IP称为峰点电流。 CD段特性：UeηUbb+UVD=UP 后d与b1之间电阻Rbl减小而形成负阻区，使分压比减小，由此更进一步促使负阻区的形成，直至最低点D。 UV称为谷点电压，对应的电流IV称为谷点电流，在D点，若再增加电压，则电流将急剧加。 3.2.2 单结晶体管脉冲形成电路 1）.工作原理 电路及波形见图3.4： 当电路接通电源U以后，电容器C经电阻R充电，充电电流为iR，电容器端电压按指数规律上升。在uc＜UP以前，单结晶体管截止，只有很小的漏电流，电阻R1输出电压亦很小； 当电容器C继续充电，电容器C端电压UC＞UP时，单结晶体管导通，电容器C经e→b1→R1放电，由于导通时，单结晶体管Rb1进人负阻状态，而外接电阻R1又较小，因此电容器c经电阻R1放电时间很短，于是放电电流在R1两端产生一个尖脉冲输出。 当电容器上电压降到谷点电压时，由于R阻值较大，经由R供给单结晶体管的发射极电流小于谷点电流，不能满足单结管的导通条件，电阻Rbl迅速增大，单结晶体管恢复阻断状态。 由于充电时间常数 τ1=RC大于放电时间常数τ2=（Rb1+R1）C，故电容器端电压为锯齿波。 此后电容器C又重复充放电过程，于是得到一连串的尖脉冲输出。 2）.振荡条件 （1）.R最大值由电容器充电电压达到单结晶体管的峰值电压后，流过电阻R的电流应大于峰点电流IP，以保证单结晶体管能工作在负区来确定： （U-UP）/IPR （2）.电阻R最小值则由电容器放电完毕后，从电阻R流入单结晶体管的电流要小于谷点电流IV，以保证单结晶体管能够关断来确定： （U-UV）/IV R 所以，单结晶体管的振荡条件是： （U-UP）/IP R （U-UV）/IV 或： IViRIP R太大时，负载线为直线1交于Ue=f（Ie）峰点C左侧，不能使单结晶体管从截止转入到负阻区导通；R太小，负载线交于单结晶体管特性谷点D的右侧，如直线3，这时单结晶体管保持导通，不能恢复截止，从而振荡中止。 3.2.3.用电位控制移相的单结晶体管触发电路 下图是一个用正电位控制α移相的单结晶体管触发电路，也是一个实际电路。 控制信号为UC ，当控制信号UC为零时，调整R3使电路无脉冲输出（一般VT1截止即无输出）；当UC为某一常值时，流过VT2的集电极电流IC2亦为某个常值。α与UC成反比例关系，即增加UC可减小延迟角α，获得移相控制特性。 控制信号 UC↑→UC1↓→IC2↑→α↓ 用单结晶体管构成触发电路；线路简单，脉冲前沿陡峭，但是脉冲很窄，功率较小，所以