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2017-04-11 发布于江苏
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irg7ph42udpbf

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE IRG7PH42UDPbF IRG7PH42UD-EP 1 10/26/09 E G n-channel C VCES = 1200V IC = 45A, TC = 100°C TJ(max) = 150°C VCE(on) typ. = 1.7V Features ? Low VCE (ON) trench IGBT technology ? Low switching losses ? Square RBSOA ? 100% of the parts tested for ILM ? Positive VCE (ON) temperature co-efficient ? Ultra fast soft recovery co-pak diode ? Tight parameter distribution ? Lead-Free Benefits ? High efficiency in a wide range of applications ? Suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses ? Rugged transient performance for increased reliability ? Excellent current sharing in parallel operation Applications ? U.P.S. ? Welding ? Solar Inverter ? Induction Heating G C E Gate Collector Emitter TO-247AC IRG7PH42UDPbF TO-247AD IRG7PH42UD-EP G C E C G C E C Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 1200 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current (Silicon Limited) 85 IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current (Silicon Limited) 45 INOMINAL Nominal Current 30 ICM Pulse Collector Current, VGE = 15V 90 A ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V 120 IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current 85 IF @ TC = 100°C Diode Continous Forward Current 45 IFM Diode Maximum Forward Current 120 VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±30 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 320 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 130 TJ Operating Junction and -55 to +150 TSTG Storage Temperature Range °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. Units RθJC (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) ––– ––– 0.39 RθJC (Diode) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) ––– ––– 0.56 °C/W RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Thermal Resistance,