电子科大微电子工艺第二章知识回顾程序.ppt

第二章知识回顾;干氧氧化：Si ＋ O2 → SiO2 水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋ O2 → SiO2 + H2;三种热氧化层质量对比：; 氧化过程：;线性－抛物线性模型 t2ox＋Atox＝B(t + τ) 线性阶段（厚度小于150埃，反应速率控制） tox=(B/A)×t 抛物线阶段（厚度150埃，扩散速率控制） tox =(Bt)1/2; 氧化消耗硅：; 氧化硅在集成电路中的应用：; 快速热处理的优点：