文献讲座 硅的扩散精要.pptx

The diffusion of silicon atoms in stack structures of La2O3 and Al2O3硅原子在La2O3和Al2O3堆叠结构中的扩散;随着半导体器件的缩小已经迅速发展，二氧化硅的物理和化学性质的限制,遇到用于制造金属氧化物半导体场效应晶体（MOSFET）的适当材料。 由于二氧化硅不是临界厚度下的有效绝缘体，具有高介电常数的氧化物材料，例如HfO2，ZrO2或稀土金属氧化物（例如，Y2O3，Gd2O3，La2O3）被认为是绝缘的潜在候选.在各种高k氧化物中，已经研究了La2O3和LaAlO3，因为它们的高介电常数为25-30并且相对于Si具有良好的界面能带偏移值。;?;在这项工作中，我们准备了由La2O3和Al2O3交替层组成的堆叠结构。沉积的样品和经受退火处理的样品的结构和电特性是由直接与Si衬底接触的金属氧化物的界面反应来研究. Si原子从衬底扩散到金属氧化物中显示出不同的趋势，这些不同的趋势导致依赖于堆叠结构的电特性的变化 ;相关知识;2.实验;从MEIS分析，我们获得沿深度方向的元素分布的信息。 用单色Al Ka源进行X射线光电子能谱（XPS），观察金属氧化物和Si之间的界面处的化学反应。 使用反射电子能量损失光谱（REELS）研究带隙的变化作为退火温度的函数，其对于确定超薄氧化物膜中的带隙是非常有用的。 为了测量电