西安交通大学微电子制造技术十四光刻.PPTVIP

微电子制造技术第 14 章 光刻：对准和曝光;概 述; 掩膜版上设计的每一层图形都有一个特殊功能，如接触孔、MOS的源漏区或金属线等，光刻过程中掩膜版把这些图形彼此套准来制成硅片上的器件或电路。版图套准过程有对准规范，就是前面提出的套准容差。怎样精确地把亚微米尺寸套准，对光学光刻提出了特殊的对准挑战。;学 习 目 标;单视场曝光，包括：聚焦、对准、曝光、步进和重复过程;顶视图;4) 多晶硅栅刻蚀;光学曝光; 光的实质就是电磁波，光也能辐射能量。这两个描述反映了光的波粒两相性的本质。因此可以用波长（ λ）和频率（?）来描述。这两者的关系如图14.3所示，其中υ是光的速度。; 波的干涉 波本质上是正弦曲线。任何形式的正弦波只要有相同的频率就能相互干涉。有两种类型的干涉基于波是否有相同的相位（见下图）。;光学滤波器 滤光器利用光的干涉阻止不需要的入射光，通过反射或干涉来获得一个特定波长的波（见图14.5）; 整个可见和不可见的电磁波被称作电磁波谱，它由从极短到极长波长的各种辐射能组成。 黄光和红光因为它处在可见光区含极少紫外光，因此不会影响光刻胶。所以光刻区的照明通常使用黄光或红光。;曝光光源;120 100 80 60 40 20 0;Table 14.2 汞灯的