第10章数字电路教程范本.ppt

;本章目标 ;10.1　概　述 ;一、半导体存储器的作用 ;　　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。;2. 存储容量及其表示;※ 了解顺序存取存储器(SAM)的作用;10.2.1 先入先出的顺序存取存储器 ;10.2.2 先入后出的顺序存取存储器 ;※ 了解 ROM 的类型和结构，理解其工作原理 ;按数据写入方式不同分;10.3.2 ROM 的结构和工作原理 ;存储矩阵;4 ? 4 存储矩阵结构示意图 ;3. 存储单元结构;(2) PROM 的存储单元结构 ;(3) 可擦除 PROM 的存储单元结构 ;刚才介绍了ROM中的存储距阵， 下面将学习ROM中的地址译码器。; 又称单译码编址方式或单地址寻址方式;A5;10.3.3 、集成 EPROM 举例 ;VCC;二、由 CS、OE 和 VPP 的不同状态，确定　　　 2716 的下列 5 种工作方式 ;3、编程方式：OE = 1，在 VPP 加入 25 V 编程电压，在地址 线上输入单元地址，数据线上输入要写入的 数据后，在 CS 端送入 50 ms 宽的编程正脉 　　　　　　 冲， 数据就被写入到由地址码确定的存储单 　　　　　　 元中。;　　由于 PROM 的地址译码器能译出地址码的 全部最小项， 而PROM 的存储矩阵构成了可编 程或门阵列，因此，通过编程可从 PROM 的位 线输出端得到任意标准与 - 或式。由于所有组 合逻辑函数均可用标准与 - 或式表示，故理论 上可用 PROM 实现任意组合逻辑函数。 ; 为了便于用 可编程ROM 实现组合逻辑函数，首先需要理解 可编程ROM 结构的习惯画法。;A1;3. 用 可编程ROM 实现组合逻辑函数;(3) 画出用 可编程ROM 实现的逻辑图;10.4 快闪存储器 ;快闪存储器的两种构造形式 ;※掌握 RAM 的类型、结构和工作原理 ;10.5.1 RAM 的结构、类型和工作原理 ;RAM 与 ROM 的比较 ;RAM 分类;基本R-S触发器; 单管NMOS动态存储单元;10.5.2 集成 RAM 举例 ; RAM的位扩展;R/W;3、字位同时扩展 ;3. 位、字同时进行扩展： 根据字和位扩展的原理，将两种方法结合便可实现，一般是先进行位扩展，然后进行字扩展。;半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元可存储一位二进制数 。根据存取功能的不同，半导体存储器分为只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)和顺序存取存储器（SAM），ROM和RAM的存储单元结构不同。ROM 属于大规模组合逻辑电路，RAM 属于大规模时序逻辑电路。;ROM 用于存放固定不变的数据，存储内容不能随意改写。工作时，只能根据地址码读出数据。断电后其数据不会丢失。ROM有固定 ROM(又称掩膜 ROM) 和可编程 ROM之分。固定 ROM 由制造商在制造芯片时，用掩膜技术向芯片写入数据，而可编程 ROM 则由用户向芯片写入数据。可编程 ROM 又分为一次可编程的 PROM 和可重复改写、重复编程的 EPROM 和 E2PROM。EPROM 为电写入紫外擦除型，E2PROM 为电写入电擦除型，后者比前者快捷方便。可编程 ROM 都要用专用的编程器对芯片进行编程。 ; 快闪存储器(Flash Memory)，简称闪存。它具有EPROM的结构简单、编程可靠的优点，同时又具有E2PROM的在电路中电擦除特性，与E2PROM相比较，集成度有较大幅度的提高。 NOR闪存通常带有SRAM接口，有足够多的地址引脚，可以直接访问其中的每一个字。 NAND闪存采用命令、地址和数据复用的接口形式，NAND闪存采用类似磁盘数据管理的形式来访问。 ;RAM 由存储矩阵、译码器和读/写控制电路组成。它可以读出数据或改写存储的数据，其读、写数据的速度很快。因此，RAM 多用于需要经常更换数据的场合，最典型的应用就是计算机中的内存。但是， RAM 断电后数据将丢失。;RAM 有静态 RAM和动态 RAM 之分。静态 RAM(即SRAM)的存储单元为触发器，工作时不需刷新，但存储容量较小。动态 RAM(即 DRAM)的存储单元是利用 MOS 管具有极高的输入电阻( 1010 ?)、在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的，由于栅极电容存在漏电，因此工作时需要周期性的对存储数据进行刷新。