第5章电磁干扰抑制的屏蔽技术教程范本.pptVIP

限制内部能量泄漏出内部区域 （主动屏蔽） 概述 屏蔽的含义： 3. 原理： 电子设备 用导电或导磁材料制成的屏蔽体将电磁干扰能量限制在一定范围内。 2. 目的： 防止外来的干扰能量进入某一区域（被动屏蔽） 二次场理论（一次场作用下，产生极化、磁化形成二次场); 反射衰减理论 屏 蔽 4. 屏蔽的分类（按工作原理） 电场屏蔽：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽（利用良好接地 的金属导体制作） 磁场屏蔽：静磁屏蔽、低频交变磁场屏蔽（利用高导磁率 材料构成低磁阻通路） 电磁屏蔽：用于高频电磁场的屏蔽（利用反射和衰减来隔 离电磁场的耦合） 屏蔽效能( SE ) 屏蔽效能：屏蔽体的性质的定量评价。 定义： 或 或 E0、H0 —— 未加屏蔽时空间中某点的电（磁）场； E1、H1—— 加屏蔽后空间中该点的电（磁）场； 无屏蔽场强 有屏蔽场强 屏蔽效能 SE（dB） 10 1 20 100 1 40 1000 1 60 10000 1 80 100000 1 100 1000000 1 120 衰减量与屏蔽效能的关系 机箱类型 屏蔽效能 SE（dB） 民用产品 40以下 军用设备 60 TEMPEST设备 80 屏蔽室、屏蔽舱 100以上 屏蔽效能的要求 分类：静电屏蔽、低频交变电场屏蔽 电场屏蔽 静电屏蔽 电场屏蔽的作用：防止两个设备（元件、部件）间的电容性 耦合干扰 原理：静电平衡 要求：完整的屏蔽导体和良好接地 2. 低频交变电场屏蔽 目的：抑制低频电容性耦合干扰 （1）未加屏蔽 （2） 加屏蔽（忽略CSR1的影响） 分析方法：应用电路理论分析 讨论:（1）屏蔽体不接地，若 （2）屏蔽体接地 （3）屏蔽体接地时，CSR1的影响 屏蔽效能: 屏蔽体的材料以良导体为好，对厚度无什么要求 屏蔽体的形状对屏蔽效能有明显的影响 电场屏蔽的设计要点 屏蔽体要靠近受保护的设备 屏蔽体要有良好的接地 磁场屏蔽 1．原理 高频磁场屏蔽 低频磁场屏蔽（f 100kHz） 利用高导磁率的铁磁材料（如铁、硅钢片、坡莫合金），对干扰磁场进行分路。 利用低电阻的良导体中形成的涡电流产生反向磁通抑制入射磁场。 2．屏蔽效能计算 解析方法：圆柱腔、球壳的屏蔽效能计算 近似方法：应用磁路的方法。 如：长为l 、横截面为 S 的一段屏蔽材料，则其磁阻为 磁阻： 磁压降： 磁通： (1) 圆柱形腔的磁屏蔽效能 边界条件： 时， 时， 解得： 故 ，若t～0，即 则 屏蔽效能 球形腔体的屏蔽效能 非球形腔体的屏蔽效能 等效半径： （V——屏蔽体的体积） 例：长方体屏蔽盒尺寸为： 、壁厚 。 试计算用钢板 和坡莫合金 作屏蔽 材料时的SE 。 解： 钢： 合金： （2）用磁路方法计算屏蔽效能 流经屏蔽体的磁通： 流经空腔的磁通： 磁通为 磁路计算： 对于磁路CS： 从P1到Q1: 磁阻为 磁压降 从Q1 到 Q2: 故 对于磁路C1： 由于 于是有： 故 若 若 讨论： 屏蔽体应选用高导磁率的材料，但应防止磁饱和 被屏蔽物体不要紧贴在屏蔽体上 磁场屏蔽的设计要点 注意屏蔽体的结构设计，缝隙或长条通风孔循着磁场方向分布 对于强磁场的屏蔽可采用多层屏蔽，防止发生磁饱和 尽量缩短磁路长度，增加屏蔽体的截面积（厚度） 对于多层屏蔽，应注意磁路上的彼此绝缘 电磁屏蔽 1. 原理与分析方法 原理： ①表面反射（R— 反射损耗） ② 屏蔽材料吸收衰减（A— 吸收损耗） ③ 多次反射（B — 多次反射修正） 分析方法： ① 电磁感应原理.计算屏蔽体上的涡流的屏蔽效应来计算屏 蔽效能 ② 平面波的反射与折射来计算反射与衰减 ③ 等效传输线理论计算反射与衰减 2. 单层屏蔽体的屏蔽效能 均匀平面波垂直入射到无限大的导体板上（厚度为t） 媒质的本征阻抗： 传播常数： 屏蔽效能： 良导体 ： 良导体： 波阻抗： a. 远场： b. 近场（以电场为主）： c. 近