半导体物理及器件工艺ch5_光电器件讲义.pdf

第一部分 半导体器件 第五章 光电器件 郑 新 和 1 半导体光电器件，主要分为三类 ? 器件作为光源，将电能转换成光能的器件， 如发光二极管和二极管激光器； ? 探测光信号的器件，如光电探测器； ? 将光辐射转换成电能的器件，如光生伏特 器件或太阳能电池。 2 第五章 光电器件 5.1 光学吸收 5.2 光电探测器 5.3 太阳能电池 5.4 光致发光和电致发光 5.5 发光二极管 5.6 激光二极管 3 5.1 光学吸收 (1) 电磁波谱和能量 ? 对半导体光电器件，可 见光区和近红外区(光纤 通讯)最为重要。现在正 在拓展其它波段的器件 。 ? 光通信的成功：不只得 益于光纤的发展，还得 益于半导体光源和探测 器的发展。 4 ? Terahertz(THz) radiation ? 1 THz ? 4.1 meV ? Technology for its generation and manipulation is in its infancy. ? The generation and modulation of coherent electromagnetic signals in requires the development of new devices and techniques, such as gyrotrons, backward wave oscillators, and resonant-tunneling diodes. ? The earths atmosphere is a strong absorber of terahertz radiation in specific water vapor absorption bands, leading to indoor communication systems. 5 (2)光子吸收系数 不同波长的光与半导体吸收之间的关系 ? h?Eg，被吸收但产生焦耳热； ? h?? E ，被吸收，产生一对电子-空穴对； ? g h? Eg ，透射，使半导体表现为光学透明状。 6 ? 光学吸收方程或the Beer–Lambert–Bouguer law 假设半导体的厚度为dx，x处的光强或照度为Iv(x)， 量纲为能量/cm2s或功率/cm2，通过距离dx后的光 强为Iv(x+dx)，求解光强与吸收距离的关系方程。 在距离dx内，每单位时间(和单位面??)吸收的能量 或光强为 ?dx ? Iv(x ) 其中，?为吸收系数，即单位距离所吸收的相对光 x x+dx 子数，单位为cm-1 于是，经过dx厚度后，光强变化为 dI (x) dI (x) I (x ? dx) ? I (x) ? v dx ? ??I (x)dx v ? ??I (x) v v dx v dx v 假设初始位置的光强为Iv(0)=Iv0，则方程的解为 ??x Iv(x ) ? Iv 0e 7