医用电子学 第2.4节的认识.pptVIP

第四节 场效应管放大器（FET amplifier） 场效应管（field effect transistor常用FET表示）是继电子管、双极型晶体管后发展起来的新型半导体电压控制元件。其输入阻抗高（可达1012?以上），噪声低，稳定性好，耐辐射力强。 场效应管（FET）可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（IGFET）两种类型。 ;在一块N型半导体的两 侧制成两个高掺杂的P 区，形成两个PN结， 从P区引出的电极连在一起作为栅极G，N型半导体两端各引出一个电极分别为漏极D和源极S。此种结构为N沟道结型场效应管。 若将上述结构中的N型半导体和P型半导体对应换成P型和N型，则构成P沟道结型场效应管。;②分类： JFET有N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应 管两种类型。 ③符号： N沟道和P沟道场效应管的符号如图所示：; 在N型和P型半导体交界面 附近存在两个阻挡层,夹在两个阻挡层中间的N区为导电沟道，其内部载流子--多子(电子)由S极流向D极，形成漏极电流ID。因UGS0，UDS0 ，则UGD0，电子不会由S流向G，故IG=0。 反向偏压UGS的高低可控制N沟道的通道阻值大小，从而控制ID的大小。故为电压控制器件。;B、工作过程： 改变UGS，可改变导电沟道横截面积的大小。设UDS为一适当恒定值。