洁净清洗新技术.PDFVIP

洁净清洗新技术 1 引言 随着特大规模集成电路（ULSI）的研发与生产，硅片（或称晶圆、圆片、晶片）的线 宽不断减小，而晶圆直径却在不断增大。现阶段国内外 ULSI 制备中仍以 200 mm 晶圆为主， 预计到 2007 年后，300 mm 晶圆将占主导地位。原因是 300 mm 晶圆的有效利用率较高，单 位圆片的生产成本较低。在线宽不断减小的同时，对晶圆质量的要求也越来越高，特别是对 硅抛光片表面质量要求越来越严格。这主要是由于抛光片表面的颗粒、金属污染、有机物污 染、自然氧化膜和微粗糙度等严重地影响着 ULSI 的性能和成品率。因此，晶圆表面清洗就 成为 ULSI 制备中至关重要的一项工艺[1-3] 。 目前半导体厂家广泛使用的仍是 RCA（美国 无线电公司）清洗法。RCA 清洗法是经过多年的发展才形成的，它对于线宽为 0.25 和 0.3μm 工艺尚能满足要求，但对线宽为 0.09～0.13μm 工艺就需要改进。另外，由于 RCA 清洗法大 量使用化学试剂（如 NH4OH，HCl，H2O2 ，H2O 等），而大量使用高纯度化学试剂将增加 工艺成本，同时会带来环境污染，所以研发新颖的、合适的 300 mm 晶圆清洗技术势在必行。 2 传统的湿法清洗和干法清洗技术 2.1 湿法清洗技术 2.1.1 改进的 RCA 清洗法 RCA 清洗法已成为多种前后道清洗的基础工艺，目前大多数厂家使用了改进的 RCA 法。最 初的 RCA 法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏圆片表面特征的情况下喷射、净化、 氧化、蚀刻和溶解圆片表面的污染物、有机物和金属离子污染。而改进的 RCA 法通过添加 表面活性剂和 HF，并采用稀释 RCA 工艺来改善清洗效果。 2.1.2 稀释化学法 在改进 RCA 清洗法的基础上，对于 1 号标准清洗液 SC-1 和 2 号标准清洗液 SC-2 的混合溶 剂采用稀释化学法，不但可以大量节省化学试剂和去离子水，而且 SC-2 混合溶剂中的 H2O2 可以完全被清除掉。稀释 APM SC-2 混合溶剂（1:1:50）能够有效地从晶片表面去除颗粒和 碳氢化合物，强烈稀释 HPM 混合溶液（1:1:60）和稀释氯化氢（1:100）在清除金属时能像 SC-2 溶剂一样有效。采用稀释氯化氢（HCl）溶液的另一优点是，在低 HCl 浓度下颗粒不 会沉淀，因为 pH 值在 2～2.5 范围内硅与硅氧化物是等电位的，pH 值高于该点，圆片表面 带有网状负电荷；低于该点，圆片表面带有网状 正电荷。这样当 pH 值＞2～2.5 时，溶液 中的颗粒与硅表面均带有相同的电荷，颗粒与硅表面之间形成静电屏蔽，硅片在溶液中浸泡 期间受到屏蔽并阻止颗粒从溶液中沉积到硅表面。但当 pH 值＜2 时，硅片表面带正电荷， 而颗粒带有负电荷，这样就不致产生屏蔽效果。因此有效地控制 HCl 浓度，可以阻止溶液 中颗粒沉 积到圆片表面[4-5]。 2.1.3 单晶片清洗法 因大直径圆片清洗采用上述方法不易完成其清洗过程，故通常采用单晶片清洗法。清洗过程 是在室温下重复利用 DI-O3 与稀释的氢氟酸（DHF）清洗液，臭氧化的 DI 水（DI H2O-O3） 产生氧化硅，稀释 DHF 蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化要求， 采用较短的喷淋时间就可获得良好的清洗效果，且不发生交叉污染。最后的冲洗可以采用 DI H2O，亦可采用 DI H2O-O3。为了避免水渍，可采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA） 进行干燥处理。单晶