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模拟电子技术 试题汇编 成都理工大学工程技术学院 电子技术基础教研室 2010-9 模拟电子技术试题汇编 PAGE  PAGE - 22 - 第一章 半导体器件 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。 2、 在N型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。 4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。 5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。 6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。 8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。 9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。 10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V，锗二极管的死区电压约为__0.1____V。 11、晶体管穿透电流是反向饱和电流的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_______。 13、PN结具有__单向导电_______特性。 14、双极型三极管有两个PN结，分别是___集电结____和_发射结______。 15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。 16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。 17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是 空穴 ，少数载流子应是 电子 。 18、P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。 19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为 正向接法 或_正向偏置______。 20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。 21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。 22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。 23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。 24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是________。 25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会 上 ________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。 26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。 27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。 28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。 29、二极管外加 正 向电压导通，外加 反 向电压截止。 30、当温度升高时，三极管的参数β会 变大 ________，会 增加 ________，导通电压会 变小 _________ 。 31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。 32、N型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。 33、某晶体管的极限参数，，。若它的工作电压，则工作电流不得超过__15_____；若工作电压，则工作电流不得超过____100___；若工作电流，则工作电压不得超过___30____。 34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地