电子科大薄膜物理(赵晓辉)第六章薄膜生长概览.pptVIP

第六章 薄膜的生长过程;内容;成核与生长;薄膜生长基本过程;薄膜生长模式;Particle creation/粒子形成: 已经掌握，对于PVD易于控制 Particle transport/粒子输运:已经掌握，可以分析和控制 Nucleation growth/结晶和生长: - 理论上理解(传统理论, 模拟) - 无直接的实验验证 (? 无法控制) - 实验结果表明 ‘reality is more complicated than theory predicted‘;低温下薄膜生长过程;高温下YBCO薄膜生长过程;6.2 粒子的吸附与扩散;表面扩散;扩散距离;;*;扩散分子可能被解吸或埋入 吸附和埋入的平均时间间隔： tb=n0/Ji n0: 吸附位置密度 (#/cm2), Ji: 输入流量 (#/cm2s) 化学吸附后解吸 吸附的最大值处拥有较好的薄膜 质量（更光滑，缺陷更少，更均匀）; 成核过程是在相变自由能的推动下自发进行的。 直接从过饱和气相中凝结出球形新相核心，不考虑基片界面的影响。 过程自由能变化为：;自发成核自由能随蒸汽压的变化; 6.3.2 非自发成核 成核过程是在相变自由能和表面能的推动下进行的。在基片表面成核，必须考虑基片表面的影响(台阶、缺陷、污染)。 ; layer-by-layer growth (Frank-van der Merwe) island growth (Volmer- Weber) 表面能最小化: 岛的低指数晶面 few ML layer-by-layer, then crossover to island growth ; 3D- 成核 (岛状) 一般应避免 改善方法: 改变一个或多个g 以使gi +gf gs -gi 拥有同样键合类型的较低 -gi 化学反应活性高的较低 Au on glass 3D- nucleation Cr on glass 2D- nucleation O-Si Si-Cr/O-Cr bondings Au on Cr 2D- nucleation, strong metallic bonding -------------------------------------------------------------------------------------------------- Au / Cr / glass layer-by-layer, wetting Cr 作为中间的’粘结’ 层; 3-10nm 就足够 Ti: 也是很好的键合材料;避免岛状生长的其他方法: 1. 离子束辐照基板表面 (打断键合，提高反应活性，摧毁小岛，例如 打破平衡-离子辐照非常有效) 2. 使用表面改性剂 降低 gf 而非 gS (玻璃上的水: 水滴-玻璃上的肥皂水: 水膜);过程自由能变化;临界核心半径：;q = 0: DG(r*) = 0 理想浸润，层状生长模式，无成核势垒 即使p pV (例如极低氧分压下金属的氧化)也会成核 q = 180o: DG(r*) = max – 对应于自发成核;6.3.3 Nucleation Rate/成核速率;吸附原子会停留在基板表面直至解吸，并会产生聚集。停留时间为： Ec 在台阶、缺陷处最高。因此成核密度更高 ;假设 n0s≈n0c:;r* 随TS 线性增长，因为过饱和程度降低 薄膜联接较晚 (在平均厚度较厚时);总结: 沉积速率快 基板温度低: 得到细小晶粒的多晶或者非晶薄膜，在较小的厚度时发生联接，相对平滑。 沉积速率慢 基板温度高: 粗大晶粒的多晶或单晶薄膜，较大厚度时产生联接，相对粗糙。;结晶的动力学理论: 晶核的联接导致稳定晶核的密度一定时间后下降 驱动力：表面能量最小化 由团簇之间随机碰撞导致的迁移转动，联接 通过蒸发引发物质传输，大晶粒长大，小晶粒消失 化学势 mi, 一个包含i个原子的球形晶粒(W: 原子体积):;c. 凸面(r0): 原子蒸发 凹面 (r0): 原子凝结;*;*;6.5.1 薄膜结构种类;2. 多晶薄膜;3. 织构薄膜;4. 外延薄膜;6.5.2 外延生长 ? 1.? 简介 ???(epi – 放在…上) ?????(有序排列) - 扩展： 在单晶基板上生长的单晶薄膜 - 同质外延 : 薄膜和基板材料相同。 无缺陷 比基板纯度更高 薄膜层可不受基板影响，独立掺杂;- 异质外延：薄膜与???板材料不同。;*; 2. 外延薄膜的结构 单晶表面 某一方向上的周期性缺失会导致表面电学性能的改变，生成悬键从而增加化学反应活性。;重构Si(I