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FTW150K高比容钽粉研制的低压高容量钽电解电容器氧化膜的修补.pdf
第口卷第 2 期 江南大学学报(自然科学版) Vol. 12 No.2
2013 年 4 月 Journal of Jiangnan University( Natural Science Edition) Apr. 2013
FTW150K 高比容坦粉研制的低压高容量
坦电解电容器氧化膜的修补
李福成
(中色(宁夏)东方集团有限公司，宁夏石嘴山 753000)
摘 要:对 FTW150K 高比容担粉研制的低压高容量担电解电容器氧化膜的修补工艺条件进行研
究，在一定温度和电压下，经过老化方法修补受损的氧化膜和淘汰早期失效的样品，讨论了老化电压、
老化温度及老化时间对样品电性的影响。通过结合回流焊数据分析发现，在相对条件下，最佳工艺:老
化电压为1. 2 倍(低) ，老化温度为 85 c (居中) ，老化时间为 5 h ，可使氧化膜得到很好地修补。
关键词:钮电解电容器;氧化膜;老化电压;老化温度
中图分类号 :TM 535. 1 文献标志码 :A 文章编号: 1671 - 7147 (2013) 02 - 0190 - 04
FTW150K High CV Tantalum Powder Make Low Pressure High Volume
Tantalum Electrolytic Capacitor Oxide Film Repair of Research
LI Fu-cheng
(CNMC Ningxia Orient Group Co. Ltd. , Shizuishan 753000 , China)
Abstract:This paper focuses on the low voltage high capacitance tantalum electrolytic capacitors film repair process
using the FTW150K high CV Tantalum Powder. U nder certain temperature and voltage , the damaged oxide film is
repaired using the aging method and the early failure of samples are eliminated. The aging voltage , the aging
temperature and the aging time of electrical effect are discussed. Through the reflowing data analysis , the best
conditions are that the aging voltage is 1. 2 times , the aging temperature is 85 C and the aging time is 5 hours.
Key words: tantalum capacitors , oxide film , aging voltage , aging temperature
担电解电容器是重要的电子元器件，具??体积 也有文献报道老化方法对钮电容器的氧化膜
小、质量轻、寿命长、可靠性高、稳定性能好等特点，
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