电工学第8章综述.ppt

（4）稳压原理;;8.4 集成稳压器;（二）稳压电路接线图;上一页; 8.1 (1) P 型半导体中空穴是多数载流子，因而 P 型半导体电；N 型半导体中自由电子是多数载流子，因而 N 型半导体带负电。这种说法是否正确。 ;返 回; 8.2 (1) 试从正向电压，反向饱和电流的大小以及温度的影响等方面比较，硅管和锗管的优点。 ; 8.2 (2) 试分析图 8.3 (a)（教材图 8.2.6）所示整流电路中的二极管 D2或 D4 断开时负载电压的波形,如果 D2 或 D4 接反，后果如何？如果 D2 或 D4 因击穿或烧坏而短路，后果如何？;返 回; 8.2 (3) 在图 8.4 [教材图 8.2.8 (a)]所示的电路中，如 果 C 断路，负载直流电压有无 变化？变化了约百分之多少？ 如果 C 短路，后果怎样？ ; 8.3 (1) 将图 8.5 ( 教材图 8.3.2 ) 所示的电路中的 R 改接到 DZ 之后（即 DZ 与 RL 之间），可否起稳压作用；会产生什么后果?; 8.3 (2) 稳压电路中的限 流电阻 R = 0,是否可以？有 何后果？; 8.3 (3) 稳压电路中的稳压管接反了，有何后果?; 8.5 (1) 晶体管的 IB 一定时，IC 将随温度的变化而变化,尤其是锗管对温度更为敏感,这是为什么?; 8 .5 (2) 已知有两个晶体管都工作与放大状态,测得他们的三个极的电位分别为－0.7 V，－1 V，－6 V 和 2.5 V，3.2 V，9 V,试判断三个极,并说明他们是 PNP 型，还是 NPN 型，是锗管还是硅管?; 8.5 (3) 某晶体管 PCM = 100 mV，ICM = 20 mA， BU(BR)CEO= 15 V，试问在下述情况下,哪种是正常工作的： （a）UCE = 3 V，IC = 10 mA; （b） UCE = 2 V， IC = 40 mA ； （c）UCE= 6 V，IE = 20 mA 。;（c）; 8.6 (1) 为什么说晶体管是电流控制元件，而场效应管是电压控制元件? ; 8.6 (2) 试说明 NMOS 管与 PMOS 管，E 型管和 D 型管的主要区别。; 8.6 (3) 某场效应晶体管，当 UGS 3V，UDS 0 时，才会产生 ID。试问该晶体管是四种场效应晶体管中的 哪一种。; 8.6 (4) 试画出 UDS UGS(th) ， UGD = UGS(th) 时，E 型 NMOS 管中导电沟道的形状。; 8.8 (1) 在图 8.7 ( 教材图 8.8.3 ) 所示可控整流电路中，增加 控制角α 时，导通θ 增加还是减 少？负载直流电压如何变化？; 8.8 (2) 图8.7 (教材 8.8.3 ) 所示电路 中，α = 60°和 120 °时，负载电压 UO 的最大值是否相同?; 8.8 (3) 试画出将图 8.9 ( 教材图8.8.5 ) 所示交流调压电路改用两个普通晶闸管来代替的电路。; 8.8 (4) 图 8.11 ( 教材图 8.8.6 ) 所示直流调压电路可否简单地用普通 晶闸管实现?;练 习 题;返 回;;;;返 回;返 回;返 回;返 回;;返 回;返 回; （2）二极管如为锗二极管，设正向电压降 UD＝0.3 V，则;;上一页;图8.14（a）;图8.15（a）;上一页;【解】;图8.16（a）; 因此，尽管电压 u2 是交变的，由于二极管 D 的单向导电性，在负载上得到了方向不变而大小随时间变化的电压，这样的电压称半波脉动电压。波形如图 8.16（b）所示。;图8.17（a）; 【解】( 1 ) 在 0≤ωt ＜π半个周期内，电压 a 电位最高， b点电位最低。此时二极管 D1 承受正向电压而导通，二极管 D2承受反向电压而截止，电流自 a 点经 D1 通过负载 RL 而由 O 点返回。在π≤ωt＜2π半个周期内，a 点电位最低，b 点 电位最高，此时 D1 反向截止，D2 正向导通，电流自 b 点经 D2 通过负载 RL 而由 O 点返回。可见，当电源电压交变一次，两 只二极管在正，负半周各自轮流通，从而使负载得到了单向流 动的全波脉动电流和电压。 ; 【解】 （1）负载直流电压 ; (3) 电容失效，电路相当于无电容滤波