衬底对CVD生长石墨烯的影响分解.pdfVIP

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19 4 第 卷 第 期 真空与低温 2013 12 Vacuum & Cryogenics 195 年 月  衬底对CVD 生长石墨烯的影响研究 , , , 张 玮 满卫东 涂 昕 林晓棋 ( , 430073) 武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 武汉 : , 、 、 、 。 摘要 石墨烯有独特的结构和优异的性能 在电子 信息 能源 材料和生物医药等领域都有着广阔的应用前景 , 。 、 为了更好的应用这种新型材料 如何大规模可控合成高质量石墨烯是一个必须克服的困难 相比与机械剥离法 化 , (CVD) 学氧化还原法和碳化硅表面外延生长法 化学气相沉积法 因其可以生长大面积高质量连续石墨烯膜而倍受 。 , , CVD 。 关注 基于石墨烯的生长机理 从衬底材料的角度 综述了近几年衬底对 生长石墨烯的影响的研究进展 展望 了衬底选择的发展新趋势。 : ; ; ; 关键词 石墨烯 化学气相沉积 衬底 生长机理 中图分类号:O782 + . 7 文献标志码:A 文章编号:1006 - 7086 (2013)04 - 0195 - 09 DOI :10 . 3969 /j . issn. 1006 - 7086. 2013. 04 . 002 SUBSTRATES FOR CVD GROWTH OF GRAPHENE RESEARCH ZHANG Wei ,MAN Wei-dong ,TU Xin ,LIN Xiao-qi (Provincial Key Laboratory of Plasma Chemistry and Advanced Materials ,Wuhan Institute of Technology ,Wuhan 430073 ,China) Abstract :Graphene has a unique structure and excellent properties. It has broad application prospects in electronics ,infor- mation ,energy ,materials and biomedicine and other fields. For a better application of this new material ,how large quality- controlled synthesis of grapheme is a necessary overcome diffi

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