HDPCVD技术应用与设备维护题材.doc

毕业设计论文 HDPCVD技术应用与设备维护 系 电子信息工程系 专业 微电子 姓名 曹海峰 班级 微电113 学号____ 28_____ 指导教师 徐振邦 职称 讲师 指导教师 职称 设计时间 2012.9.15－2013.1.4 摘要 HDPCVD工艺自问世以来凭借其独特的在高密度等离子体反应腔中同步淀积和刻蚀绝缘介质的反应过程实现了在较低温度下对高深宽比间隔的优良填充, 其所淀积的绝缘介质膜具有高密度、低杂质缺陷等优点, 同时对硅片有优良的粘附能力, 这些优势使 HDPCVD 工艺迅速取代其他传统工艺而一举成为先进半导体制程中对超细间隔进行绝缘介质填充的首选。 本课程设计主要以介电质化学气相淀积工艺为基础，以高密度等离子体（HDPCVD）为研究对象，从高密度等离子体的工艺原理、在半导体制造中的工艺应用、以及设备构成和维护等多方面进行了详细描述。 关键词：高密度等离子体，化学气相淀积，半导体制造，填充 目录  TOC \o 1-3 \h \z \u  HYPERLINK \l _Toc375001005 摘要  PAGEREF _Toc375001005 \h 2  HYPERLINK \l _Toc375001006 目录  PAGEREF _Toc375001006 \h 3  HYPERLINK \l _Toc375001007 第1章 绪 论  PAGEREF _Toc375001007 \h 4  HYPERLINK \l _Toc375001008 1.1 引言  PAGEREF _Toc375001008 \h 4  HYPERLINK \l _Toc375001009 1.2 DCVD工艺的分类  PAGEREF _Toc375001009 \h 4  HYPERLINK \l _Toc375001010 第2章 HDPCVD的工艺原理  PAGEREF _Toc375001010 \h 6  HYPERLINK \l _Toc375001011 2.2 CVD的工艺原理  PAGEREF _Toc375001011 \h 6  HYPERLINK \l _Toc375001012 2.3 PECVD工艺原理  PAGEREF _Toc375001012 \h 8  HYPERLINK \l _Toc375001013 2.4 高密度等离子体CVD（HDPCVD）  PAGEREF _Toc375001013 \h 9  HYPERLINK \l _Toc375001014 2.5 HDPCVD的反应腔及主要反应过程  PAGEREF _Toc375001014 \h 11  HYPERLINK \l _Toc375001015 2.6 HDPCVD工艺的重要指标-淀积刻蚀比  PAGEREF _Toc375001015 \h 13  HYPERLINK \l _Toc375001016 第3章 HDPCVD技术的应用  PAGEREF _Toc375001016 \h 15  HYPERLINK \l _Toc375001017 3.1 HDPCVD工艺在半导体制造中的应用  PAGEREF _Toc375001017 \h 15  HYPERLINK \l _Toc375001018 3.2 半导体制造对HDP的工艺要求  PAGEREF _Toc375001018 \h 15  HYPERLINK \l _Toc375001019 3.3 HDPCVD工艺中对薄膜质量的测量参数  PAGEREF _Toc375001019 \h 16  HYPERLINK \l _Toc375001020 3.4 HDPCVD工艺中的两个问题  PAGEREF _Toc375001020 \h 18  HYPERLINK \l _Toc375001021 第4章 HDPCVD设备的结构及维护  PAGEREF _Toc375001021 \h 19  HYPERLINK \l _Toc375001022 4.1 HDPCVD设备的结构  PAGEREF _Toc375001022 \h 19  HYPERLINK \l _Toc