第4章存储系统题材.ppt

第四章 存储系统 4.1 概述 4.2 常用存储器芯片的连接使用 4.3 动态读写存储器(DRAM) 4.4 存储卡;4.1 概 述;内存——存放当前运行的程序和数据。 特点：快，容量小，随机存取，CPU可直接访问。 通常由半导体存储器构成 RAM、ROM;随机存取存储器（RAM） Random Access Memory 只读存储器（ROM） Read Only Memory; ;静态存储器SRAM;动态随机存储器DRAM;　;2) 可一次编程ROM(PROM或OTP)　允许用户对其进行一次编程——写入数据或程序。一旦编程之后，信息就永久性地固定下来。用户只可以读出和使用，但再也无法改变其内容。　;4.1.2 存储器的主要性能指标;问题;2．存取时间　　存取时间就是存取芯片中某一个单元的数据所需要的时间。存取时间越小，存取速度越快。  例如:读出时间是指从CPU向存储器发出有效地址和读命令开始，直到将被选单元的内容读出为止所用的时间。;3．可靠性　　可靠性一般指存储器对外界电磁场及温度等变化的抗干扰能力。 存储器的可靠性用平均故障间隔时间MTBF(Mean Time Between Failures)来衡量。 MTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。MTBF越长，可靠性越高，存储器正常工作能力越强。 目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间(MTBF)大概为5×106～1×108 h左右。;5．价格　 构成存储系统时，在满足上述要求的情况下，应尽量选择价格便宜的芯片。　 性能/价格比(简称性价比)是衡量存储器经济性能好坏的综合指标，它关系到存储器的实用价值。;图4.1 6264的引脚图;图4.1 6264的引脚图;图4.1 6264的引脚图;;　(2) ?6264(6164)的工作过程。 写入数据的过程是： 1、在芯片的A0～A12上加上要写入单元的地址； 2、在D0～D7上加上要写入的数据； 3、使　　和CS2同时有效； 4、在　　上加上有效的低电平，此时　　可为高也可为低。 　　从芯片中某单元读出数据的过程是： 1、 A0～A12加上要读出单元的地址； 2、使　　和CS2同时有效；使　　有效(为低电平)； 3、使　　为高电平，这样即可读出数据。;6264芯片与系统的连接;译码电路 将输入的一组二进制编码变换为一个特定的输出信号，即： 将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的输出信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定了该存储器芯片在内存中的地址范围。;1) 全地址译码方式　　全地址译码用全部的地址信号作为译码信号，使得存储器芯片的每一个单元都占据一个唯一的内存地址。;6264全地址译码器 ;6264的地址范围：80000H～81FFFH;2) 部分地址译码　　部分地址译码就是只用部分地址线译码控制片选来决定存储器地址。; 6264所占内存地址空间：　DA000H～DBFFFH　DE000H～DFFFFH FA000H～FBFFFH　FE000H～FFFFFH;特点：　 破坏了地址空间的连续性并减小了总的地址空间。 部分译码方式以牺牲内存空间为代价来换得译码的简单化。 注意： 在使用时，重叠的区域绝不可再分配给其他芯片，只能空着不用。否则，会造成总线及存储芯片的竞争而使微机无法正常工作。;;3．静态RAM连接举例;判断8088系统中存储系统译码器74LS138的输出;4．SRAM的时序 不同芯片工作时序不同;注意： 1、要实现写操作必须要CS1、CS2和WE都有效。 2、在地址改变期间，WE必须为高，以防止地址变化期间可能有误码写入，破坏内存数据。 3、为此，WE必须在地址有效以后经过一段时间才有效，使地址信号足够稳定。;典型的PROM基本存储电路如下图所示。 芯片出厂时，开关管T1与位线（数据线）之间以熔丝相连。 用户可对其进行一次性编程（熔断或保留熔丝以区分“1/0”）： 当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入， 不可再次改写。;EPROM（紫外线可擦除）; EPROM存储器的使用分为三步： 擦除——用紫外线照射15分钟左右即可，擦除干净后，每个位单元的内容为‘1’，或每个字节单元的内容为‘FFH’。 固化（或编程）——用专用的编程工具将程序的机器代码写入到EPROM芯片中去，写入时间通常为几秒钟到几十秒钟。 工作——将EPROM芯片插入目标系统