第7章光电式传感器题材.ppt

传感器原理与应用;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;第7章 光电式传感器;7.1 光电效应和光电器件;7.1.1 外光电效应 7.1.2 内光电效应 7.1.3 外光电效应器件 7.1.4 内光电效应器件 7.1.5 光电器件的特性;7.1.1 外光电效应; 根据爱因斯坦假设，一个光子的能量只能给一个电子。而要使电子逸出物体表面，至少需对其做功A0，以克服物体对电子的约束，A0称为逸出功，也称功函数，其值与材料有关，还和材料的表面状态有关。于是，按照能量守恒与转换定律，有：; 由上式可知： (1)光电效应能否产生，取决于光子的能量是否大于该物质表面的电子逸出功 这意味着每一种物质都有一个对应的光频阈值，称为红限频率(对应的光波长称为临界波长)，用n0表示。根据上式得：; (2)当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比 光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。 (3)光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率 对于一定的物质，A0是一定的，光子的能量hn越大，电子的初动能越大。 另外，从光开始照射到金属释放光电子几乎在瞬时发生，所需时间不超过10－9 s。;7.1 光电效应和光电器件;7.1.2 内光电效应; 内光电效应按其工作原理可分为：光电导效应和光生伏特效应。 1.光电导效应 在光照射下，半导体材料的电子吸收光子能量，从键合状态过渡到自由状态，从而引起材料载流子浓度增加、电阻率变小，这种现象称为光电导效应。 2.光生伏特效应 在光照射下，能够使物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。; 以PN结为例，没有光照射时，在过渡区会形成阻挡层，阻止孔穴和电子的进一步扩散。当光线照射PN结产生电子—空穴对时，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，在PN结两端形成光电动势。;7.1 光电效应和光电器件;7.1.3 外光电效应器件; (1)真空光电管 真空光电管由一个阴极K和一个阳极A构成，共同封装在一个真空玻璃泡内，阴极K与电源负极相联，阳极A通过负载电阻与电源正极相接，因此管内形成电场。; (2)充气光电管 如果在玻璃管内充入少量的惰性气体(如氩、氖等)，即构成充气光电管。提高了光电变换的灵敏度。但充气光电管的光电流与入射光强度不成比例关系，所以较少采用。 ;2.光电倍增管 几种光电倍增管的外形如图所示。; 其工作原理建立在光电发射和二次发射的基础之上。在玻璃管内除有光电阴极和光电阳极外，还有若干光电倍增极，光电倍增极的形状及位置设置得正好使前一倍增极发射的电子继续轰击后一倍增极。光电倍增极上涂有在电子轰击下能放射更多“次级电子”的材料，常用的有锑化钨、氧化银镁合金等。; 工作时倍增极电位逐级增高。当入射光照射光电阴极K时，逸出的电子受到第一倍增极正电位作用，加速打在第一倍增极，第一倍增极发射的电子(即二次发射)在第二倍增极更高正电位作用下，再次被加速打在第二倍增极，第二倍增极又会产生二次电子发射，这样逐级前进，直到电子被阳极A收集为止。; 光电倍增管的放大性能用倍增系数M衡量。M等于各个倍增电极的二次发射电子倍数di(i＝1,2,…)的乘积，若有n个倍增电极，且每级的di都一样，则：;7.1 光电效应和光电器件;7.1.4 内光电效应器件; 1.光敏电阻 光敏电阻又称光导管，是一种均质半导体光电器件。如图所示，在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄的半导体材料，两端装上金属电极，然后压入塑料封装体内。; 将光敏电阻接到外电路中时，若改变光照射，回路电流改变。为提高光敏电阻的灵敏度，应尽量减小电极间的距离。面积较大的光敏电阻，通常在光敏电阻薄膜上蒸镀梳状金属电极。; 光敏电阻的特性参数如下： (1)暗电阻、亮电阻 光敏电阻未受光照时的阻值称为暗电阻，受光照时的阻值称为亮电阻。暗电阻越大、亮电阻越小则灵敏度越高。 (2)暗电流、亮电流、光电流 光敏电阻未受光照时的电流称为暗电流，受光照射时的电流称为亮电流。 光电流＝亮电流－暗电流 暗电流越小，亮电流越大，则灵敏度越高。;几种光敏电阻的特性参数如表所示。; 2.光电池 光电池是在光线照射下，利用光生伏特效应，将光能转变为电动势的光电