1.6《LED 特性及光度测量实验》.pdfVIP

LED 特性及光度测量实验 （2008 新增部分） 中山大学光信息科学与技术实验室 发光二极管特性测量实验 一、 实验目的和内容 1、了解发光二极管的发光机理、光学特性与电学特性，并掌握其测试方法。 2、设计简单的测试装置，并对发光二极管进行 V－I 特性曲线、P－I 特性曲线 的测量。 二、实验基本内容 1、概述 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极 管产生于 1960年。LED是英文 light emitting diode（发光二极管）的缩写， 它属于固态光源，其基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的 架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以 LED的抗震 性能好。LED结构图如下面图 1所示： 发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的芯片。常规的发光 二极管芯片的结构如图二所示，主要分为衬底，外延层（图2中的N型氮化镓， 铝镓铟磷有源区和P型氮化镓），透明接触层，P型与N型电极、钝化层几部分。 钝化层的作用是保护透明接触层。 图2、常规InGaN / 蓝宝石LED芯片剖面图 图3、InGaN LED芯片俯视图 P型 电极 N型 电极 在 p 型半导体和 n 型半 导体之间存在一个过渡层，称为 p－n结。跨过此p－n结，电子从 n型材料扩散到p区，而空穴则从 p 型材料扩散到 n 区，如右面 的图4（a）所示。作为这一相互 扩散的结果，在p－n结处形成了 一个高度的eΔV的势垒，阻止 电子和空穴的进一步扩散，达到 平衡状态（见图4（b））。 当外加一足够高的直流电 压V，且 p 型材料接正极， n 型材料接负极时，电子和空穴将 克服在p－n结处的势垒，分别流 向 p 区和 n 区。在p－n结处， 电子与空穴相遇，复合，电子由 高能级跃迁到低能级，电子将多 余的能量将以发射光子的形式 释放出来，产生电致发光现象。 这就是发光二极管的发光原理。 （见图2.1.2（c））。通过材料的 选择可以改变半导体的能带带 隙，从而就可以发出从紫外到红 外不同波长的光线，且发光的强 弱与注入电流有关。例如，由目前流行的第三代半导体材料——GaN所制成的LED 光谱分布很宽，可以从紫外的380nm，到蓝色的465nm，直至翠绿色的525nm。 2、发光二极管的特点和优点 LED的内在特征决定了它是最理想的光源去代替传统的光源，它有着广泛的 用途。主要包括以下方面： （1）体积小。LED 基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非 常的小，非常的轻。 （2）耗电量低。LED耗电非常低，一般来说 LED的工作电压是 2-3.6V。工作电 流是 20-30mA。消耗能量较同光效的白炽灯减少 80% （3）使用寿命长。在恰当的电流和电压下，LED的使用寿命可达 10万小时。比 传统光源寿命长 5倍以上。 （4）高亮度、低热量。 （5）环保。LED 是冷光源、眩光小，无辐射，由无毒的材料作成，不像荧光灯 含水银会造成污染，同时 LED也可以回收再利用。 （6）坚固耐用。LED 是被完全的封装在环氧树脂里面，它比灯泡和荧光灯管都 坚固。灯体内也没有松动的部分，这些特点使得 LED可以说是不易损坏的。 n p 电场 eΔV p n n p δ hν hν ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕ ⊕⊕⊕ ○－ ○－ ○－○－○－ ○－ ○－ ○－○－○－ ○－○－○－ ○－ ○－ ⊕ ⊕ ⊕ ＋ ＋ ＋ － － － （a） （b） （c） 电 子 的 电 势 能 电 子 的 电 势 能 δ’ 图 4 发光二极管的工作原理 （a） 电子和空穴扩散； （b） 形成势垒； （c） 电子和空穴复合发光 3、发光二极管的主要特性 （1） 光谱分布、峰值波长和光谱辐射带宽：发光二极管所发之光并非单一波长， 其波长具有正态分布的特点，在最大光谱能量(功率)处的波长成为峰值波长。峰 值波长在实际应用中其意义并不是十分明显，这是因为即使有两个LED的峰值波 长是一样的，但它们在人眼中引起的色感觉也是可能不同的。光谱辐射带宽是指 光谱辐射功率大于等于最大值一半的波长间隔，它表示发光管的光谱纯度。GaN 基发光二极管的光谱射带宽在25至30nm范围。 （2） 光通量：LED光源发射的辐射通量中能引起人眼视觉的那部分，称为光通 量ΦV（单位是流明（lm）），是指LED向整个空间在单位时间内发射的能引起人 眼视觉的辐射通量。但要考虑人眼对不同波长的可见光的光灵敏度是不同的，国 际照明委员会(CIE)为人眼对不同波长