C6747通过16-bitNANDFLASH引导.doc

C6747通过16-bit NAND FLASH引导 基本信息 芯片使用：TMS320C6747芯片。 FLASH信息： K928F1216U0A（为三星16-bit的NAND型FLASH），通过EMIFA与DSP相连。 编译环境：CCSV5，文件转换AISgen D800K005。 Boot设置：Boot[7 3 2 1 0]=[1 0 0 0 0]。 预期实现功能： 使用该16-bit的FLASH实现DSP的自启动功能 我采用了两种方法进行FLASH的自启动实现，但是都未成功，下面我将两种思路详细列出来，若有不对的地方麻烦您指出，若整体思路都有问题麻烦您给一个可行的思路，非常感谢您。 引导思路1 思路：1，C6747上电后，检测到Boot引脚为NANDFLASH启动，ROM通过EDMA，从FLASH的0地址开始读入1KByte的数据（这些数据就是二级引导程序）；2，该程序将用户程序搬运到设定的DSP内RAM之中；3，DSP跳转到该位置开始执行用户程序。 该思路存在的问题： 不清楚C6747是否会从FLASH中读1K数据，读入之后是否会执行？ 我自己编写的二级引导程序转换成.bin文件后???经超过1K，这如何处理？ 二级引导程序将用户程序该搬到哪里，DSP才会执行？ 该思路实现的具体步骤如下： 第一步：用户程序.out文件，通过AISgen D800K005转换为.bin文件(已通过memory查C6747的ROM版本，版本正确)，设置如下 问题： 1，上图的的PLL，LPSC等等是否一定需要设置？ 2，设置的目的是什么？ 第二步：在FLASH的第1块第0页的位置写入头文件； 头文件包括以下六个32-bit的数据： headerPtr[0] = nandBoot-magicNum; //Magic Number=0xA1ACED00 headerPtr[1] = nandBoot-entryPoint; //这个是指用户程序在FLASH中的位置吗，不是很清楚？？我后续没有用到这个数据 headerPtr[2] = nandBoot-numPage; //通过读入文件的大小计算出所需FLASh页数 headerPtr[3] = blockNum; //Starting Block Number=1 headerPtr[4] = 1; //Starting Page Number - always start data in page 1 (this header goes in page 0) headerPtr[5] = nandBoot-ldAddress; //这个是程序在DSP中应该在的位置，但是现在不知道要把程序拷贝到哪里，是SDRAM中还是RAM中？DSP如何从这个位置执行程序？ 第三步：转化为.bin文件后用将用户程序的.bin文件烧写到FLSH中的第1块第1页开始的位置。 第四步：编写一个二级引导程序，保证能够顺利读取第二步和第三步的头文件和用户程序到DSP中指定位置。 第五步：将该二级引导程序烧写到FLASH的0地址开始的位置。 引导思路2 将用户程序通过AISgen D800K005转换成.bin文件后，从FLASH的BLOCK1的第0页位置开始烧写用户程序。将Boot引脚设置为NAND FLASH引导的模式，上电后DSP会从FLASH中读取用户程序。该思路中的转化方式与上述思路相同，但是DSP的FLASH 自启动并未成功。 存在的问题是： 1，AISgen D800K005会将大约0.5KB的数据加入到用户数据的头中，这些就是设置的数据吗？它起个什么作用？ 2，是否还需要自己写入二级引导程序，DSP通电后是否跳过了BLOCK0而从BLOCK1的第0页开始读取我们的用户程序，并且自动执行用户程序？