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交流变频调速技术;第2章 常用电子器件原理及选择;§2-1 晶闸管的结构原理及测试;;;;2. 功率晶体管的工作原理和主要参数;（3）.电流增益hFE –放大倍数或电力传输比hFE =β = IC/IB 当然其值越大越好，一方面控制驱动电路功率可小，相对管子容量大，另一方面有利于正反馈迅速到饱和状态（导通）。目前达林顿型GTR的hFE 范围为50～2000.;3.常用功率晶体管的驱动电路模块;§2-3.功率场效应晶体管的结构、工作特点及测试
(MOSFET);;§2-4.绝缘栅双极晶体管的结构、工作特点 (IGBT); 2.IGBT的工作特点;2.特点与应用场合 ：
IGCT集GTO(可关断晶闸管）和IGBT的优点与一身，是理想的中压大功率开关器件，电压可达6～10KV,电流容量可达几千A;§2-7.“智能”电力模块 (IPM)的结构与工作特点 ;§2-2 电力半导体器件的应用特点
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