常用高频三极管.docVIP

常用高频半导体三极管BJT（Bipolar Junction Transistor）介绍 BJT的参数是用来表征管子性能优劣和适应范围的，这是选用BJT的依据。了解这些参数的意义，对于合理使用和充分利用BJT达到设计电路的经济性和可靠性是十分必要的。其中，选用BJT的重要参数有： 集电极最大允许电流ICM ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。当电流超过ICM时，管子性能将显著下降，甚至有烧坏管子的可能。 集电极最大允许功率损耗PCM PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。PCM与环境有关，温度愈高，则PCM值愈小。因此BJT在使用时受到环境温度的限制，硅管的上限温度达150℃，而锗管则低得多，约70℃。 3、集电极—发射极间的反向击穿电压V(BR)CEO ?V(BR)CEO是指基极开路时，集电极—发射极间的反向击穿电压。BJT发生电压击穿后，电路中的管子就不能正常工作，但管子并不一定损坏，只要不超过最大功率损耗PCM，而且进入击穿的时间很短时，管子的特性不会变坏，因此击穿过程还是可逆的。如果在击穿后继续增大IC，则管子很快就会进入二次击穿状态而损坏。 电流放大系数 也就是通常所说的，是与之比，反映动态（交流工作状态）时的电流放大特性。由于BJT特性曲线的非线性，和工作点有关，只有在特性曲线的线性部分，才认为是基本恒定的。