EVG集团为工程衬底和电源器件生产应用推出室温共价键合.PDFVIP

供即时发布 EVG 集团为工程衬底和电源器件生产应用 推出室温共价键合技术 EVG?580ComBond?集成先进的表面处理工艺， 确保无氧化物键合并且实现更高的器件产量(确保在无氧条件下键合并提高良率) 奥地利圣弗洛里安，2014 年 10 月 6 日 – EVG 集团，微机电系统（MEMS）、纳米技术和半导体市场上领先的晶 圆键合和光刻设备供应商，今天宣布推出 EVG?580 ComBond? - 一款高真空应用的晶圆键合系统，使得室温下 的导电和无氧化共价键合成为可能。这一全新的系统以模块化平台为基础，可以支持大批量制造（HVM）的要求， 非常适合不同衬底材料的键合工艺，从而使得高性能设备(器件)和新应用的出现成为可能，包括： ? 多结太阳能电池 ? 硅光子学 ? 高真空 MEMS 封装 ? 电源器件 ? 化合物半导体以及其他用于“后 CMOS”应用的先进工程衬底，比如高电子迁移率晶体管、 高性能/低功耗逻辑和射频（RF）器件 多套 EVG580 ComBond 系统已经成功付运到设备制造商(器件厂商)和研发中心那里。 EVG 公司奥地利圣弗洛里安总部将提供客户展示服务。如需下载产品数据表，请访问网址： /118694/118810/142472/EVG580_ComBond_ShortBrochure.pdf 法国研究机构 CEA-Leti 硅技术部门副总裁 Fabrice Geiger 表示：“在最近的安装和验收测试阶段，我们全新 的 EVG580 ComBond 系统在室温下展示了卓越的共价键合能力。CEA-Leti 实验室正在寻求与 EVG 在公共 实验室内的合作，在几个关键领域内部署 EVG580 ComBond 系统，推动研发活动的进展。” EVG 集团执行技术总监 Paul Lindner 表示：“EVG580 ComBond 系统掌握了室温下无污染、无氧化键合所 需要的关键表面预处理步骤。凭借这项突破性的技术，我们几乎可以将任何材料键合在一起——开创出多种 不同材料在晶圆形式下的组合。这不仅支持了我们客户的研发力量，而且为大规模生产引入了全新的设备， 使得各种快速发展的新兴应用成为可能 – 从下一代电信技术硅光子学的发展到更为先进的电源器件（在两次 充电之间，可以使得电动车行驶更远的距离），等等。(这使得我们的客户新器件从研发阶段到大批量生产成 为了可能，新器件指的是各种新兴的、快速发展的应用——从下一代电信技术硅光子学的发展到更为先进的 电源器件，更先进的电源器件可以使电动汽车在充电间隔间跑的更远。)” 化合物半导体和硅元素融合（键合的）挑战 将不同属性（性能）的材料融合（键合）在一起，用以生产电子器件，例如硅衬底同氮化镓（GaN）、砷 化镓（GaAs）和磷化铟（InP）等 III-V 化合物半导体材料的融合，可以产生更高的载流子迁移率进而提高 设备（器件）性能，并且开拓出全新的功能，比如支持光纤互连和路由器功能的晶硅透光发射技术。然而， 通过传统的外延生长工艺融合这些材料时，由于晶格常数和热膨胀系数（CTE）之间的差异，将会导致晶 体的位错缺陷，进而（反而会）降低性能。 -more- EVG 集团推出推出室温共价键合技术（推出室温共价键合机）…………………第 2 页，共 2 页 晶圆键合的优势 在优化后的生长衬底上让各个半导体材料单独生长，之后再通过晶圆键合将他们融合在一起，可以减缓这 些制造问