11集成电路器件及SPICE模型9解答.ppt

集成电路设计基础;*;6.1 无源器件结构及模型 ;6.1.2 电阻;单线和U-型电阻;*;*;*;6.1.3 电容;叉指结构电容和MIM 结构电容 ;MIM电容;6.1.4 电感;*;电感等效电路;获得单端口电感的另一种方法是使用长度ll/4λ波长的短电传输线(微带或共面波导)或使用长度在l/4λ l l/2λ范围内的开路传输线。 ;6.1.5 分布参数元件;微带线;*;共面波导(CPWCPW的阻抗);CPW的优点 1）工艺简单，费用低，因为所有接地线均在上表面而不需接触孔。 2）在相邻的CPW之间有更好的屏蔽，因此有更高的集成度和更小的芯片尺寸。 3）比金属孔有更低的接地电感。 4）低的阻抗和速度色散。 CPW的缺点 1）衰减相对高一些，在50GHz时，CPW的衰减是0.5dB/mm; 2）由于厚的介质层，导热能力差，不利于大功率放大器的实现。;*;*;*;*;*;*;6.3 双极晶体管电流方程及SPICE模型;EM直流模型 ;EM2模型 ;EM小信号等效电路 ;*;1970年由H．K．Gummel和H．C．Poon提出的。 GP模型对EM2模型在以下几方面作了改进： 直流特性：反映了集电结上电压的变化引起有效基区宽度变化的基区宽度调制效应，改善了输出电导、电流增益和特征频率。反映了共射极电流放大倍数β随电流和电压的变化。 交流特性：考虑了正向渡越时间τF随集电极电流IC的变化，解决了在大注入条件下由于基区展宽效应使特征频率fT和IC成反比的特性。 考虑了大注入效应，改善了高电平下的伏安特性。 考虑了模型参数和温度的关系。 根据横向和纵向双极晶体管的不同，考虑了外延层电荷存储引起的准饱和效应。;*;GP小信号模型 ;*;N沟JFET的结构示意图和电路符号;结型场效应 JFET ( NJF/PJF ) 模型 ;*;*;*;*;*;SPICE集成电路分析程序与MOSFET模型;MOSFET一级模型(Level=1);MOSFET一级模型(Level=1) (续);MOSFET一级模型(Level=1)(续);MOSFET一级模型(Level=1)(续);MOSFET一级模型直流特性涉及的模型参数;VTO, KP, GAMMA, PHI, LAMBDA是 器件参数. TOX, TPG, NSUB, NSS是工艺参数. 若用户仅给出了工艺参数, SPICE会计算出相应的器件参数.;*;MOSFET二级模型方程 ;MOSFET三级模型, 半经验短沟道模型(Level=3);半经验短沟道模型(Level=3)(续);MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3);MOSFET49级模型(Level=49, BSIM3V3);飞利浦MOSFET模型(Level=50);不同MOSFET模型应用场合;例;*;*;*;;电路元件的SPICE输入语句格式 ;电路元件的SPICE输入语句格式 ;电阻元件的SPICE输入语句格式 ;电容元件的SPICE输入语句格式 ;非线性电容元件的SPICE输入语句格式 ;电感元件的SPICE输入语句格式 ;非线性电感元件的SPICE输入语句格式 ;互感元件的SPICE输入语句格式 ;理想传输线的SPICE输入语句格式 ;线性电压控制受控源的SPICE输入语句格式 ;线性电流控制受控源的SPICE输入语句格式 ;直流独立电压/流源的SPICE输入语句格式 ;正弦信号源的SPICE输入语句格式 ;脉冲信号源的SPICE输入语句格式 ;其它信号源;半导体器件;二极管的SPICE输入语句格式 ;双极性三极管的SPICE输入语句格式 ;JFET/MESFET的SPICE输入语句格式 ;MOSFET的SPICE输入语句格式;MOSFET的SPICE元件输入格式;模型语句;模型语句;子电路描述语句;分析控制语句;SPICE电路输入文件举例;SPICE格式的电路图编辑;SPICE应用经验;本章练习