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第一章 一、填空题 1．N型半导体的电子浓度 空穴浓度；PN结加反向电压时，空间电荷区 将 。 2．稳压管的稳压区是其工作在 。 3．当温度升高时，三极管的发射结导通压降将 。 4. 利用半导体材料的某种敏感特性，如 特性和 特性，可以制成热敏电阻和光敏元件。 5. 双极型三极管的电流放大作用是较小的 电流控制较大的 电流，所以双极型三极是一种电流控制元件。 6. 测得三极管各管脚对地压分别为UC=0.4V，UB=1.0V，UE=0.3V，则其工作 于 状态。 7. 发光二极管的发光颜色取决于 。 8. 用万用表测量某电路中二极管的正极电位为2V，负极电位为1.3V，则二极管所处的状态是 ，材料为 。 9.在某放大电路中，用万用表测得某三极管三个极的正常工作电压分别为10.3V、 11V、3V，则该三极管工作在 状态。 10. 结型场效应管是利用 电压来影响导电沟道，从而控制电流的大小；绝缘栅型场效的栅极电流IG≈ ，输入电阻很 。 11.用直流电压表测某电路中晶体管的三个电极对地的电压分别为10.3V、 11V、3V，则该管为 型，三个管脚分别为 极。 12. 本征半导体掺入五价元素成为 半导体。 13. P型半导体中的多数载流子是 ，N型半导体的多数载流子是 。 14.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 15. 当温度升高后, 二极管的正向电压 ，反向电流 。 16. 本征半导体掺入三价元素成为 半导体。 17. P型半导体中的多数载流子是 ，少多数载流子是 。 18. 当PN结正偏时 , 空间电荷中载流子的扩散运动 漂移运动 19. 本征半导体掺入特定杂质后成为 半导体。 20. N型半导体中的多数载流子是 ，少数载流子是 。 21 当PN结反偏时 , 空间电荷中载流子的扩散运动 漂移运动 二、单项选择题 1. 用电压表测放大电路中某晶体管电极1,2, 3的电位各为V1=2V ,V2=6V ,V3=2.7V,则( )。 A.1为e 2 为b 3为c B. 1为e 2 为c 3为b C. 1为b 2 为e 3为c D. 1为b 2 为c 3为e 2.检查放大电路中的晶体管在静态时是否进入截止区，最简便的方法是测量（ ）。 A. IBQ B. UBE C. ICQ D. UCEQ 3. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D.以上都不是。 5 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D.以上都不是 三、简答题 1. 判断图2所示电路中晶体管是否有可能工作在放大状态，说明理由。 2. 电路如图1所示，已知二极管为理想元件，ui＝10sinωt(v)，画出ui与uO的波形。 第二章 一、填空题 1. 画放大器交流通路时，耦合电容、旁路电容和直流电压视为 。 2. 影响放大器工作点稳定的主要因素是 。 3. 在单管NPN放大电路中输入正弦信号，在示波器上观察到 输出波形如右图所示，则产生该现象的原因是 。 4. 工作在放大区的晶体管三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，则此三极管的β值约为 。 5. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 。 6. 阻容耦合放大电路可以有效的放大 信号。 7.可以说任何放大电路都有功率放大作用。（ ） 8.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立。( ) 二、单项选择题 1. 在基本放大电路中。如果NPN管的基极电流iB增大，则与此相应（ ） A.输入电压Ui减小 B.发射极电流iE增大 C. 发射极电流iE减小 2.直接耦合放大电路能放大（ ）信号；阻容耦合放大电路能放大（ ）信号。 A.直流 B.交，直流