2.1二极管学案.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 * * * * （a）面接触型 （b）集成电路中的平面型 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于低频、大电流整流电路。 无论是点接触型、面接触型二极管，电路符号皆为： 半导体二极管实物 二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示 锗二极管2AP15的V-I 特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 硅管的Vth=0.5V左右 锗管的Vth=0.1V左右 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称死区电压或开启电压。 1.正向特性-分为两段： 当V ＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 返回 Si管与Ge管V-I特性的差异 硅管正向导通压降约为0.7V 锗管正向导通压降约为0.2V 反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 2.反向特性 返回 反向饱和电流： 硅管为纳安（10－9）级 锗管为微安（10－6）级 管子反向击穿时的电压值。 管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR 二极管未击穿时的反向电流。 IR越小，管子的单向导电性越好。 特性：IR与温度有关，T 二极管的主要参数 表2.1.1 IR 2.1.4 二极管电路的等效模型 1.二极管V-I 特性的建模 （1）理想模型 正偏时：管压降为0，电阻也为0。 反偏时：电流为0，电阻为∞。 又称开关模型 （2）恒压降模型（iD≥1mA时） 0.7V 硅管 0.2V 锗管 正偏时： 反偏时: 放大电路多用此模型 （3）折线模型 （硅二极管） 折线段： 正偏时： 反偏时: 例1 二极管加正向电压 1.理想模型 R=10k? VDD=10V ， 2.恒压模型 （硅二极管典型值） 3.折线模型 （硅二极管典型值） 二极管正偏置，形成直流电流——静态，（VD，ID）为静态工作点Q （与例3.4.1比较） （4）小信号模型 此电路可以看成静态（直流通路）＋动态（交流通路）： vs =Vmsin?t 时（VmVDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 二极管等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 例：图示电路中，VDD = 10V，R = 10k?，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。 此电路可以看成静态（直流通路）＋动态（交流通路）： 动态： 静态： 所以： 注意1：二极管电路的求解实际上使用了叠加定理 实际上二极管电路是非线性电路，叠加定理是不成立的——微变范围，折线代替了曲线——工程近似。 注意2：电量的大小写有严格含义——大写表示直流量，小写表示交流量，电量小写、下标大写表示混合量。 1)整流电路 2.1.5 二极管基本电路 2)限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 解： （1）理想模型 （2）恒压降模型 如何判断二极管在电路中是导通的还是截止的 先假设二极管两端断开，确定二极管两端的电位差； 若电路出现两个或两个以上二极管，应先判断承受正向电压较大的管子优先导通，再按照上述方法判断其余的管子是否导通。 根据二极管两端加的是正电压还是反电压判定二极管是否导通，若为正电压且大于阈值电压，则管子导通，否则截止； 解：将二极管两端断开 B A 所以二极管导通 3)开关电路 导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。 所以，AO的电压值为-5V。 解：将二极管两端断开 二极管D2导通后： 所以二极管D2先导通 所以二极管D1最终截止 截止 解： 断开二极管D： 判别二极管是导通还是截止。 * * * * * * * * * * 2.1 二极管 2.1.1 半导体的基本知识 2.1.2 PN结的形成及单向导电性 2.1.3 二极管结构及特性 2.1.5 二极管的应用电路 2.1.4