半导体光源特性测量 - 上海大学精品课程网.docVIP

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2017-04-14 发布于天津
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上世纪六十年代初开始将半导体材料作为激光媒质伯纳德和杜拉福格提出在半导体中实现受激辐射的必要条件对应于非平衡电子空穴浓度的准费米能级差必须大于受激发射能量由此半导体激光器开始了从同质结到异质结的快速发展过程单异质结最初由美国的克罗默和前苏联的阿尔费洛夫于年提出其实质是把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙半导体之间从窄带隙半导体中产生高效率复合和辐射这个设想很大程度上取决于异质结材料的生长工艺年公司的伍德尔用液相外延方法在上生长出两三年后贝尔实验室的潘尼希等人研制成功单异质结半导体激光器虽然单异

上世纪六十年代初开始将半导体材料作为激光媒质，伯纳德（Bernard）和杜拉福格（Duraffourg）提出在半导体中实现受激辐射的必要条件：对应于非平衡电子，空穴浓度的准费米能级差必须大于受激发射能量。由此，半导体激光器开始了从同质结到异质结的快速发展过程，单异质结最初由美国的克罗默（Kroemer）和前苏联的阿尔费洛夫于1963年提出，其实质是把一个窄带隙的半导体材料夹在两个宽带隙半导体之间，从窄带隙半导体中产生高效率复合和辐射，这个设想很大程度上取决于异质结材料的生长工艺，1967年IBM公司的伍德尔（Woodall）用液相外延方法（LPE）在GaAs上生长出AlGaAs，两三年后，贝