用霍尔效应测量磁场分布.PDFVIP

用霍尔效应测量磁场分布 1879 霍尔效应是美国科学家霍尔于 年发现的。由于它揭示了运动的带电粒子在外磁场中 因受洛伦兹力的作用而偏转，从而在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势差的规律，因此 该效应在科学技术的许多领域（测量技术、电子技术、自动化技术等）中都有着广泛的用途。 现在霍尔效应产品已经在自动化和信息技术中得到了广泛地应用。特别是在用计算机进行四 遥（遥测、遥控、遥信、遥调）监控的一些现代化设备中，应用磁平衡和磁比例式原理研制 的霍尔电压传感器、霍尔电流传感器和霍尔开关量传感器进行静电（直流）隔离，实现了直 流电压高精度的隔离传送和检测，直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报 警。从而在我国引起了许多科技人员对霍尔效应、霍尔元件以及应用霍尔效应的实用知识和 实用技术的关注。 本实验通过研究霍尔电压与工作电流的关系，霍尔电压与磁场的关系以 及消除霍尔效应的副效应的方法，从实验中认识霍尔效应，为在自动检测、自动控制和信息 技术中应用霍尔效应打下一个良好的基础。 1897 年，霍尔设计了一个根据运动载流子在外磁场中的偏转来确定在导体或半导体中 占主导地位的载流子类型的实验。在研究通有电流的导体在磁场中的受力时，发现在垂直于 磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔 效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体理论的 发展中起到了重要的推动作用。直到现在，霍尔效应的研究仍是研究半导体性质的重要实验 方法。利用霍尔系数和导电率的联合测量，可以用来研究半导体的到点机构、散射机构，并 可以确定半导体的一些基本参数，如半导体材料的导电类型、载流子浓度、迁移率大小、禁 带宽度、杂质电离能等。 【实验目的】 （1）掌握霍尔元件的工作原理。 （2 ）学习用霍尔元件测量磁场的原理和方法。 （3 ）学习用霍尔元件测绘载流圆线圈和亥姆霍兹线圈的磁场分布。 （4 ）学习用霍尔元件测绘螺线管磁场分布。 【实验原理】 霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。当 带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上 产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。对于（图 15-1）所示的半导体试样，若 在X 方向通以电流I ，在Z 方向加磁场B ，则在Y 方向即试样A 、A电极两侧就开始聚积异 号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。显然，该电场是阻止载 eVB 流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力 与洛仑兹力 相等时，样品两侧电 eE H 荷的积累就达到平衡，故有： eE eVB （15-1） H E V 其中, H 为霍尔电场， 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。 设试样的宽为b，厚度为d，载流子浓度为n ，则 I neVbd （15-2 ） S 由（15-1）、（15-2 ）两式可得： 1 I B I B V E b  S R S （15-3 ） H H H ne d d