四探针法测量电阻率和薄层电阻探究.pdfVIP

四探针法测量电阻率和薄层电阻 一、引言 电阻率是半导体材料的重要参数之一。电阻率的测量方法很多，如三探针法、霍 尔效应法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法，其主要优点在于 设备简单、操作方便、精确度高、对样品的几何尺寸无严格要求。不仅能测量大块半 导体材料的电阻率，也能测量异形层、扩散层、离子注入层、外延层及薄膜半导体材 料的电阻率，因此在科学研究及实际生产中得到广泛利用。 二、实验目的 1．掌握四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻的原理及方法； 2. 了解四探针测试仪的结构、原理和使用方法。 三、实验原理 1. 体电阻率测量 假定一块电阻率 ? 均匀的半导体材料，其几何尺寸与测量探针的间距相比较可以 看作半无穷大，探针引入的点电流源的电流强度为 I 。那么，对于半无穷大样品上的 这个点电流源而言，样品中的等电位面是一个球面，如图 1 所示。 图1 半无穷大样品点电流源的半球等位面 对于离开点电流源半径为 r 的半球面上的 P 点，其电流密度 j 为 22 I j r? ? （1） 式中， I 为点电流源的强度， 22 r? 是半径为 r 的半球等位面的面积。 由于 P 点的电流密度与该点处的电场强度 E 存在以下关系： ( )E r j ? ? （2） 则： 2 ( ) ( ) 2 I dV r E r j r dr ? ? ? ? ? ? ? ? ? （3） 设无限远处电位为零，即 ( ) 0 r V r ?? ? ，则 P 点的电位可以表示为 ( ) ( ) 2 r I V r E r dr r ? ?? ? ? ?? （4） 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为 r 的点的电位与探针流过的电流和 样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离 r 处的点的电势的贡献。 图2 任意位置的四探针 对图 2 所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针 1 流入，从探针 4流出， 则可将 1和 4探针认为是点电流源，由（4）式可知，2和 3探针的电位 2V 、 3V 分别为： 2 12 24 1 1 ( ) 2 I V r r ? ? ? ? （5） 3 13 34 1 1 ( ) 2 I V r r ? ? ? ? （6） 2、3探针的电位差为： 23 2 3 12 24 13 34 1 1 1 1 ( ) 2 I V V V r r r r ? ? ? ? ? ? ? ? （7） 所以，样品的电阻率为： 123 12 24 13 34 2 1 1 1 1 ( ) V I r r r r ? ? ?? ? ? ? （8） 上式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。 我们只需测出流过1、4 探 针的电流 I 以及2、3 探针间的电位差 23V ，代入四根探针的间距， 就可以求出该样品 的电阻率 ? 。 图 3 直线型四探针 实际测量中， 最常用的是直线型四探针（如图 3所示）， 即四根探针的针尖位 于同一直线上，并且间距分别为 1S 、 2S 和 3S ，则有： 2 3 1 2 3 1 2 3 1 1 1 1 ( ) 2 I V V V S S S S S S ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? （9） 1 1 2 3 1 2 3 2 1 1 1 1 ( ) V I S S S S S S ? ? ?? ? ? ? ? ? （10） 当 1 2 3S S S S? ? ? 时，（10）式简化为 2 V S I ? ?? （11） （11）式就是利用直线型四探针测量电阻率的公式。可见只要测出流过1、4 探针的电 流 I ，2、3 探针间的电势差V ，以及探针间距S ，就可以求出样品